| ปี พ.ศ. 2554 |
| 1 |
An Effect of Silicon Micro-/Nano-Patterning Arrays on Superhydrophobic Surface |
| ปี พ.ศ. 2553 |
| 2 |
Simulated Studies of Well and Channel Engineering for 0.8 um Buried Channel PMOSFET |
| 3 |
การสร้างพื้นผิวน้ำไม่เกาะแบบยิ่งยวดที่มีสมบัติการสะท้อนแสงต่ำ ด้วยโครงสร้างแบบซิลิกอนดำ |
| 4 |
Design, Fabrication and Analysis of Silicon Hollow Microneedles for Transdermal Drug Delivery System for Treatment of Hemodynamic Dysfunctions |
| 5 |
The Effect of Ion Implantation on ISFET-Sensing Membrane |
| 6 |
Improvement of Photoresist Film Coverage on High Topology Surface with Spray Coating Technique |
| 7 |
Oxygen Gas-Timing Control for Variety Properties of Sputtered- ZnO |
| 8 |
Chemical Characterization and Electrical Properties of Indium Oxynitride Grown by Reactive Gas-Timing RF Magnetron Sputtering |
| 9 |
Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect |
| 10 |
An Effect of Viscosity of Coating Materials on Silicon Micro-Patterning Arrays for Superhydrophobic Surface |
| 11 |
อุปกรณ์ตรวจวัดกระแสไฟฟ้าไร้สายในรถยนต์โดยโครงสร้างแมกนีโตทรานซิสเตอร์ |
| 12 |
ผลของระยะเบี่ยงเบนและความกว้างการฉีดพาหะต่อความไวของแมกนีโตทรานซิสเตอร์ |
| 13 |
การวิเคราะห์กระแสรั่วไหลรอยต่อของซิลิคอนไดโอดแบบ PiN ที่ผ่านการเติมอะตอมแพลตินั่ม |
| ปี พ.ศ. 2552 |
| 14 |
โครงการพัฒนาเทคโนโลยีอีอีพรอม (EEPROM) สำหรับสมาร์ทเซ็นเซอร์ |
| 15 |
Study of Optimization Condition for Spin Coating of the Photoresist Film on Rectangular Substrate by Taguchi Design of an Experiment |
| 16 |
การพัฒนาระบบวัสดุฝังในทางทันตกรรมสำหรับผู้ป่วยไทย |
| 17 |
Substrate Bias Effects on Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) in Short Channel NMOS FETs |
| 18 |
Oxygen Control on nanocrystal-AlON Films by Reactive Gas-Timing Technique R.F. Magnetron Sputtering and Annealing Effect |
| 19 |
อุปกรณ์ตรวจจับสนามแม่เหล็กชนิดตัวต้านทานแม่เหล็กแบบฟิล์มบาง NiFe หนึ่งชั้น |
| ปี พ.ศ. 2551 |
| 20 |
Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology |
| 21 |
An Extreme Change in structural and optical properties of Indium Oxynitride deposited by reactive gas-timing r.f. magnetron sputtering |
| 22 |
Study of Optimization Patterning Size in Photolithography Process by Using Linear Programming Method for Superhydrophobic Surface |
| 23 |
รายงานฉบับสมบูรณ์ การสร้างชั้นฟิล์มโลหะ Al-alloy สำหรับทดสอบกระบวนผลิต การเชื่อมต่อลวดตัวนำในโรงงาน IC packaging |
| 24 |
การสร้างเซ็นเชอร์ตรวจวัดความเร็วรอบโดยตรวจจับฟันเฟืองของเกียร์จาก แมกนีโตทรานซิสเตอร์ |
| 25 |
กระบวนการสร้างชั้นลายวงจรเพื่อผลิตอุปกรณ์หน่วยความจำของโครงการ ASTRI-2 |
| 26 |
TMEC Operation Report System V1.0 |
| 27 |
การสร้างชั้นฟิล์มบางซิลิคอนไดออกไซด์ด้วยวิธีไอสารเคมีในสภาวะความดันต่ำสำหรับการทดลองโมดูลคอนแทก |
| 28 |
TMEC Runcard System V1.0 |
| 29 |
การสร้างส่วนเชื่อมต่อของเซนเซอร์วัดแรงดันเลือดด้วยกระบวนการถ่ายย่อแบบ |
| 30 |
สูตรการเลือกกัดคุณภาพสูงระหว่างซิลิคอนไดออกไซด์กับซิลิคอนสำหรับเครื่องกัดแบบ RIE |
| 31 |
การสร้างไมโครฮีทเตอร์สำหรับตัวตรวจวัดทางชีวภาพ |
| 32 |
การหาตำแหน่งตัวซ้อนทับบนชั้นลายวงจรจากการออกแบบและการตรวจสอบการซ้อนทับของชั้นลายวงจรด้วยลายเวอร์เนียร์ |
| 33 |
การสร้างขั้วไฟฟ้าสำหรับเซ็นเซอร์อุณหภูมิชนิดตัวต้านทานเทอร์มิสเตอร์ด้วยวิธีอิเล็กโตรเลสเพลทติ้ง (Electroless Plating) |
| 34 |
การสร้างต้นแบบหัววัดค่าความเป็นกรด-เบส แบบ ISFET สำหรับการสอบเทียบตามมาตรฐาน ISO 17025 |
| 35 |
ชุดอุปกรณ์ทดสอบพร้อมวิธีการวัดและเทคนิควิเคราะห์อุปกรณ์ตรวจจับความดัน เพื่อวิเคราะห์ข้อมูลสำหรับนำไปใช้ในเชิงพาณิชย์ |
| 36 |
ถุงมือป้องกันสารเคมีที่ทำความสะอาดตนเองได้ |
| 37 |
การสร้างไมโครสเกลบนแผ่นกระจกเพื่อใช้สำหรับวัดขนาดวัตถุภายในกล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสง |
| 38 |
การกำหนดขนาดของลายวงจรบนกระจกต้นแบบด้วยการชดเชยความคลาดเคลื่อนทางแสง |
| 39 |
กระบวนการเปิดหน้าชิป IC |
| 40 |
ต้นแบบการลอกชั้นของชิปไอซี |
| 41 |
สูตรการกัดซิลิคอนโดยมีน้ำยาไวแสงเป็นชั้นป้องกัน |
| 42 |
สูตรการกัดซิลิคอนโดยมีซิลิคอนไดออกไซด์เป็นชั้นป้องกัน |
| 43 |
ระบบควบคุมแขนกล |
| 44 |
การสร้างลายวงจรสำหรับหัวอ่านฮาร์ดดิสก์โดยเทคนิคการใช้ฮาร์ดมาส์กให้บริษัท Western Digital จำกัด |
| 45 |
การเปลี่ยนแปลงพลังงานแสงอาทิตย์ให้เป็นพลังงานไฟฟ้าด้วยโครงสร้างของไดโอดเปล่งแสง g]j'cl |
| 46 |
การศึกษาและพัฒนาการถ่ายแบบลายวงจรสามมิติโดยใช้ฟิล์มใสเป็นต้นแบบ |
| 47 |
รายงานฉบับสมบูรณ์การบรรจุภัณฑ์และทดสอบหัววัดค่า pH แบบ ISFET สำหรับการสอบเทียบมาตรฐาน |
| 48 |
ต้นแบบกระบวนการบรรจุภัณฑ์ของหัวตรวจจับสนามแม่เหล็กชนิดโครงสร้างแมกนีโตทรานซิสเตอร์ |
| 49 |
ผลกระทบของต้นแบบลายวงจรแบบฟิล์มใสต่อคุณภาพของลายวงจร |
| 50 |
การสร้างลวดลายทดสอบค่าดัชนีการสะท้อนของแสงบนชั้นฟิล์มอลูมินัมด้วยกระบวนการถ่ายแบบลายวงจร |
| 51 |
การลดรอยขีดข่วนและปรับความขรุขระบนผิวแผ่นซิลิกอนด้วยเคมี |
| 52 |
วงจรวัดค่าความต้านทานแบบ 2 อินพุท |
| 53 |
วงจรแสดงระดับอุณหภูมิ |
| 54 |
กระบวนการถ่ายย่อแบบลายวงจรสำหรับแมกนีโตทรานซิสเตอร์ พี เอ็น พี หลังกระบวนการสร้างชั้นโลหะ |
| 55 |
Characteristics of the 3-terminal Magnetotransistor Using Standard CMOS Process Technology |
| 56 |
Study of Combined Device, p-n Junction Diode and Ion Selective Field Effect Transistor, for Temperature and pH measurement |
| 57 |
3-Dimensionals Lithography Techniques for Air Bearing Surface Patterning in Hard-Disk Drive Reading/Writing Head Manufacturing |
| 58 |
Improvement bar sitting process step in air bearing surface patterning by using micropallette |
| 59 |
Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification |
| 60 |
Extraction of Defect in Doping Silicon Wafer by Analyzing the Lifetime Profile Method |
| 61 |
High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density |
| 62 |
Effect of Exposure Energy, Focus Range, and Surface Reflection on the Photolithography Process of Contact Hole Patterning |
| 63 |
กระบวนการเจือสารในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ด้วยเทคนิคการยิงฝังประจุไอออนสารเจือ |
| 64 |
การสร้างไมโครฟลูอิดิกสำหรับตัวตรวจวัดทางชีวภาพ |
| 65 |
Extraction of characterization of deep-level impurity density in platinum-doped silicon |
| ปี พ.ศ. 2550 |
| 66 |
การศึกษาสภาวะที่เหมาะสมในการหมุนเคลือบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงบนกระจกต้นแบบขนาด 6x6 นิ้ว ด้วยเทคนิคการออกแบบการทดลองแบบทากูชิ |
| 67 |
The Influence of Chromium Film Thickness on Photomask on Light Transmission for 3D-Lithography Application |
| 68 |
การสร้างโครงสร้างจุลภาค 3 มิติ ด้วยเทคนิคการปรับเปลี่ยนค่าพลังงานในการฉายแสง |
| 69 |
การสร้างโครงสร้างจุลภาค 3 มิติ ด้วยกระจกต้นแบบความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับ |
| 70 |
การสร้างโครงสร้างจุลภาค 3 มิติ ด้วยกระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล |
| 71 |
การออกแบบตัวจับกระจกต้นแบบสำหรับใช้ในอ่างสารเคมี |
| 72 |
การออกแบบผังภูมิของ RSP-1 |
| 73 |
เครื่องช่วยฟังดิจิตอล BTE |
| 74 |
อภิธานศัพท์การออกแบบและผลิตวงจรรวม |
| 75 |
การศึกษาผลของอุณหภูมิต่อการสร้าง ความต้านทานเชิงแผ่นของโพลีรีซีสเตอร์ บนอุปกรณ์ตรวจจับความดันเชิงผิว |
| 76 |
ชุดเครื่องมือเก็บข้อมูล แสดงผลและวัดความเร็วลมช่องดูดอากาศออกของตู้ปฏิบัติการสารเคมี |
| 77 |
ตารางสะสมฐานข้อมูลการใช้โทรศัพท์ |
| 78 |
ระบบวัดสำหรับการศึกษาความไวและความละเอียดในการวัดความเป็นกรด-เบสของหัววัดแบบ Ion Selective Field Effect Transistor |
| 79 |
อุปกรณ์ชุดทดสอบหัววัดอุณหภูมิช่วง 25 degree-C – 150 degree-C |
| 80 |
ระบบสำรองจ่ายน้ำหล่อเย็น |
| 81 |
วงจรรวม Decimation Filter สำหรับ Sigma-Delta A/D ใน Sensor |
| 82 |
การศึกษาผลของอัตราการกัดผิวหน้าชิ้นงานด้วย SC1 ต่อการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานเชิงแผ่น สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ |
| 83 |
การออกแบบแพดโลหะเพื่อทดสอบค่าทางไฟฟ้าสำหรับการผลิตหัวอ่านฮาร์ดดิสก์ (โครงการร่วม Western Digital และ NECTEC) |
| 84 |
การสร้างต้นแบบลายวงจรเพื่อสร้าง Micropallette สำหรับอุตสาหกรรมการผลิตหัวอ่านฮาร์ดไดร์ฟ (โครงการร่วม Western Digital และ NECTEC) |
| 85 |
การวิจัยและพัฒนาการออกแบบซอฟต์แวร์บนระบบ T-Engine |
| 86 |
การออกแบบกระจกต้นแบบขนาดใหม่ เพื่อลดต้นทุนในกระบวนการถ่ายแบบลายวงจร |
| 87 |
ต้นแบบวงจรควบคุมมอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง |
| 88 |
ต้นแบบระบบควบคุมเครื่องจักร Ramco อย่างง่าย |
| 89 |
กล่องใส่ Regulator และ Exhaust gauge ในตู้ Manual Wet Bench |
| 90 |
อุปกรณ์กรองแสงฟิล์มบางนาโนคริสตัลอินเดียมออกซีไนไตรด์ |
| 91 |
ต้นแบบอุปกรณ์กรองแสงนำไฟฟ้าจากฟิล์มบางอินเดียมทินออกซีไนไตรด์ |
| 92 |
ตารางหมายกำหนดการด้วยเว็บแอพพลิเคชั่น |
| 93 |
อุปกรณ์ชุดทดสอบหัววัดอุณหภูมิ -50 C ถึง 150 C |
| 94 |
การออกแบบวงจรรวมสำหรับแปลงสัญญาณแอนะลอกเป็นดิจิตอลโหมดกระแส |
| 95 |
วงจรรวมเข้ารหัสโดยใช้ Tiny Encryption Algorithm (TEA) |
| 96 |
แมกนีโตทรานซิสเตอร์สามขา |
| 97 |
กระบวนการถ่ายย่อแบบ และ Alignment Mark เพื่อสร้างชั้นตัวนำของเซนเซอร์วัดแรงดันเลือด |
| 98 |
การพัฒนากระบวนการ Encapsulation สำหรับวาง Slider ลงบน TIP สำหรับกระบวนการผลิตหัวอ่านฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ |
| 99 |
การออกแบบผังภูมิทดสอบตัวต้านทาน ที่เทคโนโลยี 0.8um CMOS |
| 100 |
ศึกษาการใช้ไดโอดชนิดรอยต่อ พี-เอ็นร่วมกับอุปกรณ์ ISFET สำหรับตรวจวัดอุณหภูมิ และการวัดค่า pH |
| 101 |
การบริหารจัดการวัสดุอุปกรณ์ของศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ด้วยเว็บแอพพลิเคชั่น V 2.0 |
| 102 |
การออกแบบวงจร voltage-mode sensor interface circuitry ที่เทคโนโลยี 0.8um CMOS |
| 103 |
การออกแบบผังภูมิวงจร voltage-mode sensor interface circuitry ที่เทคโนโลยี 0.8um CMOS |
| 104 |
กระบวนการถ่ายย่อแบบลายวงจรสำหรับแมกนีโตทรานซิสเตอร์ พี เอ็น พี ก่อนกระบวนการสร้างชั้นโลหะ |
| 105 |
ทะเบียนประวัติการจัดซื้อ/จ้าง/เช่า ด้วยเว็บแอพพลิเคชั่น |
| 106 |
การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบเพื่อสร้างสเตรนเกจของเซนเซอร์วัดแรงดันเลือด |
| 107 |
การออกแบบผังภูมิวงจร low-noise instrumentation amplifier สำหรับ sensor interface circuitry ที่เทคโนโลยี 0.8um CMOS |
| 108 |
เทคนิคการยิงฝังประจุที่เหมาะสมในกระบวนการสร้างซีมอสขนาด |
| 109 |
หัววัดค่า pH แบบ ISFET สำหรับอุตสาหกรรมอาหาร |
| 110 |
การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ สำหรับ Memory Device |
| 111 |
กระบวนการผลิต ISFET |
| 112 |
ายงานฉบับสมบูรณ์การวัดคุณสมบัติเฉพาะของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ Ion Selective Field Effect Transistor |
| 113 |
กระบวนการสร้าง Alignment Layer ของสายการผลิต Magnetic Sensor |
| 114 |
การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ด้านหลัง ของสายการผลิต pressure sensor |
| 115 |
การพัฒนากระบวนการถ่ายย่อแบบ เพื่อสร้างโพลีซิลิกอนเมมเบรนของเซนเซอร์วัดแรงดันเลือด |
| 116 |
การศึกษาสูตรการกัดชั้น poly-Si และ SiO2 ของสายการผลิต pressure sensor |
| 117 |
Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) Effect in Submicrometer NMOS Devices |
| 118 |
การวัดคุณสมบัติการตอบสนองต่อความเข้มข้นของไอออนไฮโดรเจน ช่วงเวลาการตอบสนองและฮิสเตอร์รีซิสของหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบ ISFET เปรียบเทียบกับหัววัดค่าความเป็นกรด-เบสแบบกระเปาะแก้ว |
| ปี พ.ศ. 2549 |
| 119 |
การพัฒนาระบบเตือนภัยในงานทันตกรรมรากฟัน |
| 120 |
การวิเคราะห์ระบบการวัดของเครื่องอัตโนมัติอิลลิปโซมิเตอร์ใช้ในกระบวนการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์ |
| 121 |
การศึกษา Photoreflectance Spectroscopy บนฟิล์มบาง InN ที่ปลูกโดยกระบวนการ RF Magnetron Sputtering |
| 122 |
การยิงฝังประจุอาร์ซินิกส์สำหรับสร้างซอสเดรนที่เหมาะสมในกระบวนการสร้าง 0.8 um NMOS |
| 123 |
ศึกษาการยิงฝังประจุโบรอนอะตอมมิกส์นัมเบอร์ต่างๆ ของพลาสมา BF3 ต่อค่าความต้านทานเชิงผิว |
| 124 |
ผลของการปรับเปลี่ยน มุมเบี่ยงเบน การหมุน และสเตปการหมุน ในกระบวนการยิงฝังประจุ |
| 125 |
Simulation of Low Pressure Capacitive Transducer With Polysilicon Diaphragm on The Silicon Substrate for Hearing Aids Device |
| 126 |
The Simulation of Piezoresistive Silicon Microphone At Low Sound PressureTo Optimise Positions of The Strain Gauges |
| 127 |
Devices Design, Fabrication and Characterizations of Submicron MOSFET for 0.8 CMOS Technology Development |
| 128 |
The Subthreshold Leakage Current of 0.8 micron CMOS Technology |
| ปี พ.ศ. 2548 |
| 129 |
ความลึกในการเจือสารโบรอน โดยวิธียิงฝังประจุหลายครั้ง ด้วยเครื่องยิงฝังประจุกระแสขนาดกลาง |
| 130 |
Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes |
| ปี พ.ศ. 2547 |
| 131 |
การอบรมวิชา Integrated Circuit Fabrication (หนังสืออ่านประกอบ) |
| 132 |
The diffusion current in shallow Co-silicided junctions |
| ปี พ.ศ. 2546 |
| 133 |
การอบรมวิชาอิเลคทรอทิคส์สารกึ่งตัวนำ (หนังสืออ่านประกอบ) |
| 134 |
การอบรมวิชา Basic Wafer Fabrication (หนังสืออ่านประกอบ) |
| 135 |
การใช้โปรแกรม TSUPREM-4 & MEDICI ช่วยในการพัฒนากระบวนการผลิตวงจรรวม |
| 136 |
Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis |
| 137 |
Impact of p-Well Implantation Parameters Compatible with Deep Submicron CMOS Technology on Junction Leakage |
| 138 |
Impact Of Shallow Trench Isolation Depth On Leakage Current Of Shallow p-n Junctions |
| 139 |
กระบวนการผลิตวงจรรวม |
| ปี พ.ศ. 2538 |
| 140 |
ทรานสดิวเซอร์ความดันแบบ MOISFET |
| ปี พ.ศ. ไม่ระบุ |
| 141 |
Trimming lithography part I: The alternative technology for sub-resolution and sub-wavelength patterning |
| 142 |
The effects of fluorine ion implantation on acrylic resin denture base |
| 143 |
The low power 3D-magnetotransistor based on CMOS technology |
| 144 |
The deflection length and emitter width on sensitivity of magnetotransistor |
| 145 |
The study on the effect of multi-level exposure technique to fabricate air bearing surface microstructure |
| 146 |
Trimming lithography part II: An effect of trimming distance to the sub-resolution pattern quality |
| 147 |
The new design for magnetoresistance effect on Hall plate structure |
| 148 |
Design and fabrication of diffractive phase element for minimizing the focusing spot size beyond diffraction limit |
| 149 |
The mechanism of dual schottky magnetodiode |
| 150 |
The study of forward and reverse schottky junction for dual magnetodiode |
| 151 |
The effects of temperature and device demension of MOSFETs on the DC characteristics of CMOS inverter |
| 152 |
UV-enhanced photodetector with nanocrystalline-TiO2 thin film via CMOS compatible process |
| 153 |
An in-line contact configuration for the Hall sensor device |
| 154 |
Use of neural network to model the FTIR spectra of PECVD silicon nitride films for cardiovascular pressure sensor applications |
| 155 |
Modification of the optical properties of polydimethylsiloxane (PDMS) for photonic crystal biosensor application |
| 156 |
Generation lifetime analysis of p-n junction X-ray detector |
| 157 |
P-buried region effects on breakdown voltage of NPT-TIGBT structure |
| 158 |
The defects analysis in CMOS fabrication by arrhenius activation energy technique |
| 159 |
Effect of cobalt silicide to the sentivity of p-n junction temperature sensor |
| 160 |
Characteristics of silicon thin film thermistors |
| 161 |
Fabrication of eyepieces lenses scale for optical microscope |
| 162 |
Merged three-terminal magnetotransistor based on the carrier recombination - deflection effect |
| 163 |
The innovative AlN-ISFET based pH sensor |
| 164 |
The low power magnetotransistor based on the CMOS technology |
| 165 |
Fabrication, characterization and analysis of ITO/n-Si Schottky photodetector |
| 166 |
A disposable polydimethylsiloxane (PDMS) microdevices for DNA amplification with low power consumption |
| 167 |
Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination—Deflection Effect |
| 168 |
Gated-diode study of corner and peripheral leakage current in high-energy neutron irradiated silicon p-n junctions |
| 169 |
Activation energy analysis as a tool for extraction and investigation of p–n junction leakage current components |
| 170 |
Effect of temperature to characteristics of polysilicon based surface micromachining piezoresistive pressure sensor |
| 171 |
Current transients in almost-ideal Czochralski silicon p–n junction diodes |
| 172 |
Impact of cobalt silicidation on the low-frequency noise behavior of shallow p-n junctions |
| 173 |
Peripheral current analysis of silicon p–n junction and gated diodes |
| 174 |
Impact of a high electric field on the extraction of the generation lifetime from the reverse generation current component of shallow n+-p-well diodes |
| 175 |
Improved extraction of the activation energy of the leakage current in silicon p–n junction diodes |
| 176 |
Hole-trapping-related transients in shallow n+–p junctions fabricated in a high-energy boron-implanted p well |
| 177 |
Improved extraction of carrier concentration and depletion width from capacitance–voltage characteristics of silicon n+–p-well junction diodes |
| 178 |
Lifetime study in advanced isolation techniques |
| 179 |
Current transients in almost-ideal Czochralski silicon p-n junction diodes |
| 180 |
Diode Analysis of High-Energy Boron Implantation-Induced P-Well Defects |
| 181 |
Improved extraction of the activation energy of the leakage current in silicon p-n junction diodes |
| 182 |
Hole-trapping-related transients in shallow n+-p junctions fabricated in a high-energy boron-implanted p well |
| 183 |
Impact of a high electric field on the extraction of the generation lifetime from the reverse generation current component of shallow n+-p-well diodes |
| 184 |
Particle accelerator using optical tweezer for photodetector performance improvement |
| 185 |
Design and simulation of ascending curvilinear micro channel for cancer cell separation from blood |
| 186 |
Temperature dependence of electrical characteristics on pn junction power diodes irradiated by X-ray |
| 187 |
Evaluation of Schottky barrier parameters of Al Schottky contacts on platinum doped n-silicon |
| 188 |
Defects study by activation energy profile for lowering leakage current in p-n junction |
| 189 |
Magnetotransistor based on the carrier recombination-deflection effect |
| 190 |
Implantation-induced defects analysis base on activation energy diagnostics |
| 191 |
Improving sensitivity of p-n junction temperature sensor by carrier lifetime modification |
| 192 |
Oxygen control on nanocrystal-AION films by reactive gas-timing technique R.F. magnetron sputtering and annealing effect |
| 193 |
Extraction of defect in doping silicon wafer by analyzing the lifetime profile method |
| 194 |
Effect of cobalt suicide to the sentivity of p-n junction temperature sensor |
| 195 |
High-dielectric constant AlON prepared by RF gas-timing sputtering for high capacitance density |
| 196 |
Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes |
| 197 |
Radiation effects on the current-voltage and capacitance-voltage characteristics of advanced p-n junction diodes surrounded by shallow trench isolation |
| 198 |
Removing the transients electron trapping in P-N junction diode by using soft X-ray annealing method |
| 199 |
Degradation in electrical properties of Si-PIN Power diodes after treatment by electron irradiation |
