รายงานฉบับนี้นำเสนอคุณสมบัติค่าความต้านทานเชิงแผ่น (Rs) และความลึกในการแพร่ของสารเจืออาร์ซินิกส์ (75As+) โดยวิธีการยิงฝังประจุด้วยเครื่องยิงฝังประจุกระแสขนาดกลาง ที่พลังงาน 30, 50, 70 กิโลอิเล็กตรอนโวลต์ และปริมาณสารเจือ 4.5, 5.0, 5.5 และ 6.0E15 ไอออนต่อตารางเซนติเมตร บนซิลิคอนเวเฟอร์ขนาด 150 มิลลิเมตร โดยมีชั้นซิลิคอนไดออกไซด์เป็นหน้ากากป้องกันหนา 150 อังสตอม แล้วแอนนีล ที่อุณหภูมิ 900 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 40 นาที วัดค่าความต้านทานเชิงแผ่นด้วยเครื่อง Omnimap RS-30 Four-Point Probe และค่าความลึกการแพร่สารเจือด้วยเครื่อง Spreading Resistance Profiling (SRP) เทียบกับผลการจำลองแบบการสร้างโดยโปรแกรม TSUPREM-4 จากผลการทดลองพบว่าค่าความต้านทานเชิงแผ่นในการยิงฝังประจุอาร์ซินิกส์มีค่าในช่วง 86-124 ohm/square มากกว่าการจำลองแบบการสร้างด้วยโปรแกรม TSUPREM-4 เฉลี่ยประมาณ 11% ซึ่งมีค่า 49-76 ohm/square และสามารถควบคุมความลึกได้ในช่วง 0.54 - 0.7 ไมโครเมตร เฉลี่ยน้อยกว่าประมาณ 3.13% ซึ่งมีค่า 0.56 - 0.71 um ค่าดังกล่าวจะถูกนำไปใช้ในกระบวนการสร้างส่วนซอสเดรนสำหรับเอ็นมอสขนาดเกท 0.8 ไมโคร เมตร เพื่อพัฒนาสู่ซีมอสขนาดเกท 0.8 ไมโครเมตร และกระบวนการสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไป /-