| ชื่อเรื่อง | : | Impact of p-Well Implantation Parameters Compatible with Deep Submicron CMOS Technology on Junction Leakage |
| นักวิจัย | : | Ampron Poyai , Itti Rittaporn , R. Rooyackers , C. Claeys , E. Simoen , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ |
| คำค้น | : | Boron implantation , CMOS , CMOS and BiCMOS data conversion circuits , Electrical and electronic engineering , Electronic circuits , Engineering and technology , Shallow junction , Shallow-trench isolation , ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์) , วงจรอิเล็กทรอนิกส์ , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2546 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/7615 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This paper describes the impact of the deep boron implantation energy and dose on the electrical properties of a retrograde p-well, compatible with deep submicron CMOS technology. The carrier generation and recombination lifetime are derived from a dedicated analysis of the current- and capacitance-voltage characteristics of n+ -pwell shallow junctions. It is demonstrated that a higher leakage current and yield loss are obtained for the lower implantation energy and higher dose. The impact of the implantation parameters on the bulk, the perimeter and the corner leakage will be assessed by studying diodes with different geometries. Finally, some anomalous effects are illustrated, one related to defect-assisted hole trapping in the p-well and another to shallow-trench isolation (STI) related corner leakage. |
| บรรณานุกรม | : |
Ampron Poyai , Itti Rittaporn , R. Rooyackers , C. Claeys , E. Simoen , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . (2546). Impact of p-Well Implantation Parameters Compatible with Deep Submicron CMOS Technology on Junction Leakage.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Ampron Poyai , Itti Rittaporn , R. Rooyackers , C. Claeys , E. Simoen , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . 2546. "Impact of p-Well Implantation Parameters Compatible with Deep Submicron CMOS Technology on Junction Leakage".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Ampron Poyai , Itti Rittaporn , R. Rooyackers , C. Claeys , E. Simoen , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . "Impact of p-Well Implantation Parameters Compatible with Deep Submicron CMOS Technology on Junction Leakage."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2546. Print. Ampron Poyai , Itti Rittaporn , R. Rooyackers , C. Claeys , E. Simoen , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . Impact of p-Well Implantation Parameters Compatible with Deep Submicron CMOS Technology on Junction Leakage. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2546.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
