| ชื่อเรื่อง | : | Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification |
| นักวิจัย | : | Amporn Poyai , Eakkarach Ratanaudomphisut , Jakrapong Supadech , Nipapan Klunngien , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , อัมพร โพธิ์ใย , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , จักรพงศ์ ศุภเดช , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ |
| คำค้น | : | Cobalt silicide , Integrated circuits , Lifetime , p-n junction , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/17422 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This paper presents the relation between the staring cobalt thickness with carrier generation lifetime, which effects to the sensitivity of p-n junction temperature sensor. The starting cobalt thickness of 12, 20 and 30nm have been used. The carrier generation lifetimes have been calculated from the reverse current-voltage (I-V) characteristics. The highest carrier generation lifetime has been obtained in the case of 12nm starting cobalt thickness. The highest sensitivity of p-n junction temperature sensor has also been observed from the case of 12nm starting cobalt thickness. The sensitivity has been calculated from the relation between leakage current versus temperature. The sensitivity of p-n junction temperature sensor can be improved by increasing carrier generation lifetime |
| บรรณานุกรม | : |
Amporn Poyai , Eakkarach Ratanaudomphisut , Jakrapong Supadech , Nipapan Klunngien , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , อัมพร โพธิ์ใย , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , จักรพงศ์ ศุภเดช , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . (2551). Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Amporn Poyai , Eakkarach Ratanaudomphisut , Jakrapong Supadech , Nipapan Klunngien , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , อัมพร โพธิ์ใย , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , จักรพงศ์ ศุภเดช , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . 2551. "Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Amporn Poyai , Eakkarach Ratanaudomphisut , Jakrapong Supadech , Nipapan Klunngien , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , อัมพร โพธิ์ใย , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , จักรพงศ์ ศุภเดช , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . "Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print. Amporn Poyai , Eakkarach Ratanaudomphisut , Jakrapong Supadech , Nipapan Klunngien , Charndet Hruanan , Suwat Sophitpan , อัมพร โพธิ์ใย , เอกราช รัตนอุดมพิสุทธิ์ , จักรพงศ์ ศุภเดช , นิภาพรรณ กลั่นเงิน , ชาญเดช หรูอนันต์ , สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . Improving Sensitivity of p-n Junction Temperature Sensor by Carrier Lifetime Modification. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
