| ชื่อเรื่อง | : | The Simulation of Piezoresistive Silicon Microphone At Low Sound PressureTo Optimise Positions of The Strain Gauges |
| นักวิจัย | : | N. Thamrongwattanachai , T. Arpautaipong , Ekalak Chaowicharat , Karoon Saejok , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , การุณ แซ่จอก , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง |
| คำค้น | : | Electrical and electronic engineering , Electrical engineering , Engineering and technology , Hearing aids , Piezoelectricity , Piezoresistive , Silicon microphone , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , เครื่องช่วยการได้ยิน , เพียโซอิเล็กทริก |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2549 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/20416 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | To study and design the piezoresistive microphone, CoventorWareTM software package was used to simulate the response of diaphragm from the thickness of 0.1 μm to 0.5 μm, with surface dimension of 500*500, 1000*1000, 1500*1500, 2000*2000, 2500*2500 and 3000*3000 μm2. The sound pressure, used in the simulation, started from 20 μPa to 60 μPa ( 0 to 10 dB). The result will be used to determine the optimal position of strain gauges. From the simulated model, it can be seen that diaphragm experienced the highest stress at the egde, hence this is the most appropriate place for the resistor. The most appropriate dimensions are 3000 μm on each side with a thickness of 0.1 μm. With these dimensions, the calculated stress is the highest from all the different conditions used in the simulation. There will be two types of orientation used in placing the resistors: perpendicular and parallel to direction of the strain. The position for perpendicular placement is x, y e = 1500,y where y is in the range of 30 – 140 μm. The position for parallel placement is x, y e = x,0 where x is in the range of 1250 – 1750 μm. |
| บรรณานุกรม | : |
N. Thamrongwattanachai , T. Arpautaipong , Ekalak Chaowicharat , Karoon Saejok , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , การุณ แซ่จอก , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง . (2549). The Simulation of Piezoresistive Silicon Microphone At Low Sound PressureTo Optimise Positions of The Strain Gauges.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. N. Thamrongwattanachai , T. Arpautaipong , Ekalak Chaowicharat , Karoon Saejok , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , การุณ แซ่จอก , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง . 2549. "The Simulation of Piezoresistive Silicon Microphone At Low Sound PressureTo Optimise Positions of The Strain Gauges".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. N. Thamrongwattanachai , T. Arpautaipong , Ekalak Chaowicharat , Karoon Saejok , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , การุณ แซ่จอก , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง . "The Simulation of Piezoresistive Silicon Microphone At Low Sound PressureTo Optimise Positions of The Strain Gauges."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2549. Print. N. Thamrongwattanachai , T. Arpautaipong , Ekalak Chaowicharat , Karoon Saejok , Amporn Poyai , Wisut Titiroongruang , เอกลักษณ์ เชาว์วิชารัตน์ , การุณ แซ่จอก , อัมพร โพธิ์ใย , วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง . The Simulation of Piezoresistive Silicon Microphone At Low Sound PressureTo Optimise Positions of The Strain Gauges. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2549.
|
