This paper presents the spreading-resistance profiling technique has been used to determine the depth concentration profiles of platinum diffused in n-type silicon. Diffusion has been performed at 1000 degree celsius for time ranging 1 hr. in dry-nitrogen atmosphere. Resistivity profile was converted into deep-level impurities density by solving the charge neutrality equation. The compensating effect of the electrically active platinum atoms due to resistivity increase is 5 times of the unperturbed substrate, and the solving results the value for the concentration of deep-level acceptor impurity is 1.4 x 10[superscript 16] atom/cm[superscript3], in agreement with a solid solubility limit of Pt at 1000 degree celsius.

รายงานฉบับนี้เสนอการนำเทคนิคการวัดปริมาณแผ่กระจายความต้านทานมาใช้เพื่อหาค่าความเข้มข้นเชิงความลึกของแพลตินั่มหลังเติมในซิลิคอนชนิดเอ็น โดยวิธีการแพร่ที่อุณหภูมิ 1000 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง ในบรรยากาศของไนโตรเจนแห้ง ค่าสภาพความต้านทานจะถูกเปลี่ยนเป็นความเข้มข้นของอะตอมสารเจือระดับลึก โดยการแก้ผลของสมการ charge neutrality ปรากฏการณ์การหักล้างของอะตอมแพลตินั่มที่ถูกกระตุ้นทางไฟฟ้าทำให้สภาพความต้านทานเพิ่มขึ้น 5 เท่าตัว เมื่อเทียบกับแผ่นผลึกเริ่มต้น และจากผลการแก้สมการความเข้มข้นอะตอมสารเจือผู้ให้ระดับลึกมีค่า 1.4 x 10 (ยกกำลัง 16) อะตอม/ลูกบาศก์เซนติเมตร ซึ่งสอดคล้องกับค่าขีดจำกัดการละลายได้ในสถานะของแข็งของแพลตินั่มที่อุณหภูมิ 1000 องศาเซลเซียส