รายงานฉบับสมบูรณ์นี้นำเสนอต้นแบบเทคนิคการยิงฝังประจุโดยเครื่องยิงฝังประจุ (Ion Implanter) ที่เหมาะสมในกระบวนการสร้างซีมอสขนาดเกท 0.8 ไมโครเมตร (CMOS) เพื่อให้มีความสม่ำเสมอในการเจือสารบนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ (wafer) ขนาด 150 มิลลิเมตร (6 inch) ประกอบไปด้วย เทคนิคการยิงฝังประจุพลังงานสูง เทคนิคการยิงฝังประจุพลังงานต่ำ เทคนิคการยิงฝังประจุปริมาณสารเจือสูง และเทคนิคการยิงฝังประจุปริมาณสารเจือต่ำ เป็นต้น ซึ่งกระบวนการสร้าง CMOS ประกอบไปด้วยกระบวนการยิงฝังประจุหลายขั้นตอน ซึ่งแต่ละขั้นตอนมีเงื่อนไขของพลังงานและปริมาณสารเจือที่แตกต่างกันและยังมีเทคนิคในการยิงฝังประจุที่เหมาะสมต่างกัน โดยจะได้อธิบายในรายงานฉบับนี้ต่อไป This report presents the implantation process technology appropriate for 0.8 um CMOS fabrication process on 150 mm wafer (6 inches). CMOS fabrication requires several implantation techniques with varying level of implantation energy and dose, for example, high energy technique, low energy technique, high dose implantation technique and low dose implantation technique. This report shows these techniques fitting to each process step.