| ชื่อเรื่อง | : | การลดรอยขีดข่วนและปรับความขรุขระบนผิวแผ่นซิลิกอนด้วยเคมี |
| นักวิจัย | : | ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิธิ อัตถิ , อัมพร โพธิ์ใย |
| คำค้น | : | Chemical polishing , Roughness surface , Scratch , Silicon wafer , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/10756 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | รายงานฉบับนี้นำเสนอการทดลองใช้เคมีเหลวเพื่อกัดผิวแผ่นซิลิกอน เพื่อลดรอยขีดข่วนและเพิ่มความเรียบของผิวหน้าโดยไม่มีการขัดผิวชิ้นงานเหมือนกับเทคนิค Chemical Mechanical Polishing (CMP) ทั้งนี้เพื่อต้องการลดต้นทุนในกระบวนการผลิต โดยจากผลการทดลองพบว่าเคมีนั้น สามารถลดรอยขีดข่วนบนผิวหน้าแผ่นซิลิกอนได้ ในขณะที่จะเพิ่มความขรุขระของพื้นผิว ทั้งนี้จากการสังเกตพบว่าพื้นผิวแผ่นซิลิกอนมีลักษณะเป็นลูกคลื่น ซึ่งอาจส่งผลกระทบต่อกระบวนการผลิตขั้นต่อไปได้ แต่สำหรับการผลิตที่ต้องการแค่พื้นผิวที่ไม่มีรอยขีดข่วนนั้น การกัดด้วยเคมีถือว่ามีความเหมาะสมมาก เพราะลงทุนต่ำและต้นทุนต่ำ |
| บรรณานุกรม | : |
ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิธิ อัตถิ , อัมพร โพธิ์ใย . (2551). การลดรอยขีดข่วนและปรับความขรุขระบนผิวแผ่นซิลิกอนด้วยเคมี.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิธิ อัตถิ , อัมพร โพธิ์ใย . 2551. "การลดรอยขีดข่วนและปรับความขรุขระบนผิวแผ่นซิลิกอนด้วยเคมี".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิธิ อัตถิ , อัมพร โพธิ์ใย . "การลดรอยขีดข่วนและปรับความขรุขระบนผิวแผ่นซิลิกอนด้วยเคมี."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print. ชาญเดช หรูอนันต์ , นริชพันธ์ เป็นผลดี , นิธิ อัตถิ , อัมพร โพธิ์ใย . การลดรอยขีดข่วนและปรับความขรุขระบนผิวแผ่นซิลิกอนด้วยเคมี. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
