การวิจัยได้นำเสนอการปรับปรุงการสร้าง ค่าความต้านทานเชิงแผ่นของฟิล์มโพลีรีซีสเตอร์ ที่ความหนา 4,000 อังสตรอม บนฟิล์ม Si3N4 ที่ความหนา 700 อังสตรอม บนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ เพื่อนำไปใช้ในการสร้างอุปกรณ์ตรวจจับความดันเชิงผิว ในงานวิจัยนี้ได้ทำการทดลองสร้าง ฟิล์มโพลีรีซีสเตอร์ ที่เงื่อนไขการยิงฝังประจุ ชนิด 11B+ปริมาณ 1.6 x 1016 ion/cm2 และทำการแอนนีลด้วยด้วยเงื่อนไขต่างๆ ที่อุณหภูมิ 850 °C, 900 °C และ 1,000 °C ในเวลา 15, 30, และ 60 นาทีภายใต้บรรยากาศไนไตรเจน (N2 ) ทีอัตราการไหลเท่ากับ 10 ลิตรต่อนาที หลังจากนั้นนำไปทำการวัดความต้านทานเชิงแผ่น และการกระจายสารเจือภายในแผ่น จากผลการทดลองพบว่าเมื่อทำการเพิ่มอุณหภูมิในการทดลองจะได้ค่าความต้านทานเชิงแผ่นลดลง เมื่อพิจาณาผลของเวลาในการแอนนีลพบว่าที่อุณหภูมิ 900°C และ 1,000°C เมื่อทำการเพิ่มเวลาในการแอนนีล ในช่วง 15-60 นาที ค่าความต้านทานเชิงแผ่น จะมีค่าลดลง แต่ที่อุณหภูมิ 850°C พบว่าค่าความต้านทานเชิงแผ่นลดลงในช่วง 30 นาที แต่หลังจากนั้นค่าความต้านทานจะมีค่าเพิ่มขึ้น เมื่อพิจารณา % Uniformity ของความต้านทานเชิงแผ่น พบว่า เมื่อทำการเพิ่มอุณหภูมิ ทำให้ % Uniformity ของความต้านทานเชิงแผ่นลดลง และเมื่อทำการเพิ่มเวลาในการแอนนีลทำให้ได้ % Uniformity ของความต้านทานเชิงแผ่นลดลงเช่นกัน เมื่พิจารณาการกระจายของสารเจือภายในเนื้อฟิล์มโพลีรีซีสเตอร์พบว่า มีการกระจายของสารเจือที่ดี แต่อย่างไรก็ตามก็มีการแพร่ที่รอยต่อระหว่างโพลีรีซีเตอร์ กับฟิล์ม Si3N4 โดยที่เวลาการแอนนีล 30 นาทีเกิดการแพร่สารเข้าไปใน ฟิล์ม Si3N4 มากกว่ากรณีเวลาในการแอนนีล 15 นาที เมื่อนำไปเปรียบเทียบกับเงื่อนไขเดิมคือปริมาณสารเจือ 1.3 x1016 ion/cm2 ที่อุณหภูมิ 800 °C เวลา 15 ชั่วโมงจะพบว่าที่ผิวมีค่าความต้านทานสูงที่ผิว แต่มีข้อดีคือเมื่อพิจารณาที่รอยต่อระหว่างโพลีรีซีสเตอร์กับ Si3N4 จะพบว่าไม่มีการแพร่สารเจือเข้าไปใน ฟิล์ม Si3N4 โดยการวิจัยนี้อยู่ในสัญญาซื้อขาย ดังนี้ เลข การซื้อขายครับ เป็นเลขที่ PMO 016/2550 โดยมีชื่อที่หัวข้อว่า Resarch Work Agreement for Development and Manufacture of the Products โดยบริษัท คู่สัญญา คือ Radi Medical Systems AB