ชั้นฟิล์มบางซิลิคอนไดออกไซด์ที่ปลูกด้วยวิธีไอสารเคมีที่ความดันต่ำ (LPCVD) โดยใช้ อุณหภูมิ 700 – 710 C ที่อัตราการไหลไอระเหยของ TEOS 100 sccm โดยควบคุมความดันคงที่ 200 mTorr ในขณะทำการปลูกชั้นฟิล์ม พบว่าความหนาของชั้นฟิล์มซิลิคอนไดออกไซด์ ที่ใช้เวลาในการปลูก 23 นาที และ 103 นาที เมื่อใช้เครื่องมือวัดความหนาชั้นฟิล์มอิลิปโซมิเตอร์ ทั้ง 9 ตำแหน่งบนฐานรองซิลิคอน จะมีความหนาเฉลี่ย 181.74 nm และ 742.19 nm โดยมีความสม่ำเสมอของชั้นฟิล์ม 0.17 % และ 0.23 % ตามลำดับจากกราฟความสัมพันธ์ความหนาของชั้นฟิล์มซิลิคอนไดออกไซด์ที่มีต่อเวลาในการปลูกที่ได้ คำนวนหาเวลาในการปลูกชั้นฟิล์มที่ความหนา 200 nm และ 500 nm สำหรับการทดลองโมดูลคอนแทก พบว่า เมื่อใช้เวลาในการปลูก 27.5 นาทีและ 68.5 นาที จะได้ความหนาชั้นฟิล์มซิลิคอนไดออกไซด์เฉลี่ย 212.81 nm และ 501.6 nm โดยมีความสม่ำเสมอของชั้นฟิล์ม 0.25 % และ 0.2 % ตามลำดับ ซึ่งเป็นความหนาของชั้นฟิล์มที่อยู่ในช่วงที่ต้องการและกำหนดไว้สำหรับการทดลองโมดูลคอนแทก คือ 200 nm +/- 20 nm และ 500 nm +/- 50 nm