ทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOIS เป็นทรานซิสเตอร์ที่ ทำงานด้วยสนามไฟฟ้าเช่นเดียวกับทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ MOS ทั่ว ๆ ไป โครงสร้างดังกล่าวมีข้อดีคือ สามารถสร้าง ทรานซิสเตอร์ชนิดพีและเอ็นบนฐานรองเดียวกันได้โดยไม่ต้อง ใช้บ่อแยก ทำให้โครงสร้างนี้สามารถสร้างให้มีความหนาแน่น ของทรานซิสเตอร์สูงมากกว่าทรานซิสเตอร์โครงสร้าง MOS แผ่นซิลิกอนนั้นถ้าได้รับความเค้นมากระทำ จะทำให้ พิกัดความต้านทานของเนื้อสารเปลี่ยนไป ซึ่งปรากฎการณ์ที่ เกิดขึ้นนี้เรียกว่า ปรากฎการณ์เปียโซรีซีสทีป ดังนั้นแผ่น ซิลิกอนจึงเป็นที่นิยมที่จะนำมาสร้างเป็นทรานสดิวเซอร์ ความดัน ที่ใช้ในงานด้านการแพทย์และงานด้านอุตสาหกรรม ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้เสนอผลงานวิจัย ทรานสดิวเซอร์ ความดันชนิดซิลิกอนแบบ MOISFET บนไดอะแฟรมบาง วัตถุประสงค์ของงานวิจัยคือ การศึกษาหา วิธีการสร้างทรานสดิวเซอร์ความดัน เพื่อเป็นพื้นฐานการ สร้างทรานสดิวเซอร์ความดันแบบ MOISFET ที่สมบูรณ์ต่อไป เริ่มต้นเป็นการศึกษาทฤษฎีของทรานสดิวเซอร์ความดัน และทฤษฎีของ MOISFET เพื่อใช้ในการออกแบบตัวทรานสดิวเซอร์ ต่อจากนั้นจะกล่าวถึงกระบวนการสร้างบนแผ่นผลึก กระบวนการ แอสแซมบลี และการเก็บบรรจุ สำหรับโครงสร้างของ ทรานสดิวเซอร์ความดันได้ออกแบบ และสร้างทรานซิสเตอร์ โครงสร้างแบบ MOIS บนฐานรองซิลิกอนแบบอิพิทาซี n/n(+) ระบบ (100) หนา 400 ไมโครเมตร ที่มีพิกัดความต้านทาน 8-12 โอห์ม.เซนติเมตร ซึ่งถูกสกัดแผ่นผลึกจากด้านหลังตรงบริเวณ ที่สร้างทรานซิสเตอร์ ให้มีความหนาของแผ่นผลึกเป็น 20, 30, 40, 50 และ 60 ไมโครเมตรเป็นรูปสี่เหลี่ยมจตุรัส ด้วยกระบวนการกัดเนื้อฐานรองซิลิกอนแบบแอนไอโซทรอปิค ในสารละลาย EPD ด้วยเทคนิคการควบคุมความหนาด้วยการสกัด ด้วยร่องตัววี และใช้แสงเป็นมอนิเตอร์ เพื่อศึกษาการ เปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์ ตำแหน่งการ วางและทิศทางการวางตัวของทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อความไวของ ทรานซิสเตอร์โครงสร้างดังกล่าว เมื่อมีความตันมากระทำต่อ ส่วนขนของแผ่นผลึกที่แตกต่างจากความตันบรรยากาศในช่วง -760 ถึง 760 ทอร์ พบว่าทำให้คุณสมบัติกระแสและแรงดันของ ทรานซิสเตอร์เปลี่ยนแปลงไป โดยที่กระแสเดรนของ ทรานซิสเตอร์ชนิดเอ็นและชนิดพี จะมีค่าเปลี่ยนไปขึ้นกับ ทิศทางการวางตัวของทรานซิสเตอร์แบบ MOIS บนไดอะแฟรม ส่วน ค่าแรงดันขีดเริ่มและค่าแรงดันพังทลายจะไม่เปลี่ยนแปลง จากค่าปกติ และทำการศึกษาคุณสมบัติกระแสและแรงดัน ของทรานสดิวเซอร์ความดันแบบ MOISFET ที่มีต่ออุณหภูมิต่อ จากนั้นทำการทดสอบความเสถียรของสัญญาณที่ให้ออกมา พบว่า สัญญาณมีความเสถียรและความไวของทรานสดิวเซอร์ความดันจะ ไม่เปลี่ยนแปลงเมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนไป