ในบทความนี้จะแสดงให้เห็นว่ากระแสที่เกิดจากการแพร่ในไดโอดแบบรอยต่อ n+-p ที่มีโคบอลต์ซิลิไซด์ จะเพิ่มขึ้นอย่างมากเมื่อเพิ่มความหนาของโคบอลต์ที่เคลือบ ซึ่งการเพิ่มขึ้นสัมพันธ์กับการเพิ่มขึ้นของกระแสเนื่องจากการรวมตัวของพาหะส่วนน้อยในบริเวณเป็นกลางของอิมิตเตอร์ โดยบริเวณนี้จะมีขนาดเล็กลงเมื่อความหนาของโคบอลต์มีค่ามากขึ้น สมมติฐานนี้ได้รับการยืนยันจากค่าเวลาการรวมตัวของพาหะส่วนน้อยในฐานรองชนิดพี ซึ่งทำการวัดโดยการดูดกลืนคลื่นไมโครเวฟของภาคตัดขวาง (cross-sectional Microwave Absorption measurements) ค่าที่วัดได้ไม่ขึ้นอยู่กับเงื่อนไขของกระบวนการผลิต จากค่าความหนาแน่นของกระแสแพร่ที่วัดได้จะสามารถคำนวนค่าตัวเลขกัมเมลของชั้นอิมิตเตอร์ ซึ่งสามารถพิจารณาได้เหมือนกับการวัดคุณสมบัติของการรวมตัวของพาหะส่วนน้อยในบริเวณที่มีการเจือสารสูงๆ

It is demonstrated that the diffusion current in shallow cobalt-silicided n+p junction diodes strongly increases with increasing deposited cobalt (Co) thickness (tCo). The increase is related to the enhanced minority carrier recombination current in the neutral emitter region which becomes smaller for higher tCo. This is supported by the recombination lifetimes in the p-type substrate, derived from cross-sectional Microwave Absorption measurements, showing no dependence on the processing conditions. From the measured diffusion current density, one can derive the Gummel number of the emitter, which can be considered as a measure for the effective recombination properties in the highly doped region.