งานวิจัยนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อสร้างสมการทางคณิตศาสตร์ สำหรับใช้กำหนดขนาดของลายวงจรที่ต้องออกแบบเพื่อถ่ายลงบนกระจกต้นแบบด้วยกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรด้วยแสง ซึ่งเกิดความคลาดเคลื่อนทั้งขนาดและรูปร่างของลายวงจรเนื่องจากผลของความคลาดเคลื่อนทางแสง (Optical Proximity Effect, OPE) โดยงานวิจัยนี้ใช้วิธีการชดเชยความคลาดเคลื่อนทางแสง (Optical Proximity Correction, OPC) ซึ่งเป็นวิธีที่เสียค่าใช้จ่ายน้อย และศึกษาลายวงจร 2 ชนิด ได้แก่ ลาย Contact hole และ ลาย Poly gate ด้วยการเพิ่มพื้นที่บริเวณมุมของลาย Contact hole ด้วยลาย Serif และ เพิ่มความยาวเส้นลายวงจรของลาย Poly gate พร้อมทั้งศึกษาอิทธิพลของความหนาแน่นของลายวงจรที่มีต่อความคลาดเคลื่อนทางแสง ในการออกแบบลายวงจรนั้น ได้ออกแบบให้มีทั้งลายแบบเดี่ยวและลายแบบหนาแน่น โดยลาย Contact hole มีรูปทรงสี่เหลี่ยมจัตุรัสขนาดตั้งแต่ 3 ถึง 11 ไมครอนโดยเพิ่มค่าทีละ 1 ไมครอน และลาย Poly gate รูปตัว T ขนาดความกว้างต่อความยาว 1: 5 โดยศึกษาลายที่ขนาดความกว้างตั้งแต่ 3 ถึง 11 ไมครอนโดยเพิ่มค่าทีละ 1 ไมครอน ทำให้มีลายวงจรทั้งสิ้น 72 ลาย วัดขนาดและพื้นที่ของลาย Contact hole และวัดความยาวของลาย Poly gate วิเคราะห์ข้อมูลเชิงสถิติที่ระดับความเชื่อมั่น 95 เปอร์เซ็นต์ด้วยโปรแกรม MiniTab จากผลการทดลอง พบว่า ความหนาแน่นของลายวงจรมีผลต่อความคลาดเคลื่อนของขนาดลายวงจรทั้ง 2 ชนิดอย่างมีนัยสำคัญ โดยส่งผลต่อลาย Contact hole ที่ขนาดตั้งแต่ 11 ไมครอน และลาย Poly gate ที่ขนาดน้อยกว่า 5 ไมครอน เมื่อวิเคราะห์หาสมการทางคณิตศาสตร์ด้วยการวิเคราะห์สมการถดถอยเชิงเส้นตรงที่ระดับความเชื่อมั่น 95 เปอร์เซ็นต์ พบว่า สามารถสร้างสมการที่มีความเหมาะสมและสามารถอธิบายผลของความคลาดเคลื่อนที่เกิดขึ้นกับลายวงจรได้ดังนี้ สมการกำหนดขนาดลาย Contact hole ที่ควรออกแบบ สมการกำหนดขนาดของ Serif ที่ใช้ชดเชยความคลาดเคลื่อนทางแสง สมการกำหนดความยาวลาย Poly gate ที่ควรออกแบบ โดยกำหนดให้ density = 0 เมื่อเป็นลายแบบเดี่ยว และ density = 1 เมื่อเป็นลายแบบหนาแน่น สมการนี้สามารถนำไปใช้กำหนดขนาดที่เหมาะสมในการออกแบบลายวงจร เพื่อทำให้ลายวงจรมีความใกล้เคียงกับลายวงจรที่ต้องการมากขึ้น และเป็นการเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงานของกระบวนการผลิตกระจกต้นแบบ