| ชื่อเรื่อง | : | Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes |
| นักวิจัย | : | Amporn Poyai , Itti Rittaporn , Eddy Simoen , Cor Claeys , Rita Rooyackers , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ |
| คำค้น | : | Doping concentration , Leakage current , Shallow trench isolation , Stress , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2548 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/16198 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This paper describes the impact of active area and shallow trench isolation (STI) width on the junction leakage current and doping concentration. A higher junction leakage current is found for a narrower active area and STI width. This is mainly due to a higher compressive stress. This compressive stress also affects the doping concentration near the junction. A higher compressive stress when reduce active area width causes a higher doping concentration while a higher compressive stress when reduce STI width results in a lower doping concentration. |
| บรรณานุกรม | : |
Amporn Poyai , Itti Rittaporn , Eddy Simoen , Cor Claeys , Rita Rooyackers , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . (2548). Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Amporn Poyai , Itti Rittaporn , Eddy Simoen , Cor Claeys , Rita Rooyackers , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . 2548. "Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Amporn Poyai , Itti Rittaporn , Eddy Simoen , Cor Claeys , Rita Rooyackers , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . "Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2548. Print. Amporn Poyai , Itti Rittaporn , Eddy Simoen , Cor Claeys , Rita Rooyackers , อัมพร โพธิ์ใย , อิทธิ ฤทธาภรณ์ . Shallow trench isolation dimensions effects on leakage current and doping concentration of advanced p-n junction diodes. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2548.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
