บทความนี้นำเสนอคุณสมบัติค่าความต้านทานเชิงผิวในการเจือ สารอะตอมมิกส์นัมเบอร์ไอออนโบรอน (AMUB) ชนิดต่างๆ เช่น 10B+, 11B+, 29(BF)+, 30(BF)+, 48(BF2)+ และ 49(BF2)+ ซึ่งเกิดจากการแตกตัวเป็นพลาสมาระหว่างก๊าซโบรอนไตรฟลูออไรด์ (BF3) กับอิเล็กตรอน จากนั้นยิงฝังประจุ AMU ไอออนโบรอนชนิดต่างๆ โดยเครื่องไอออนอิมพลานเตอร์ ที่พลังงาน 45, 75, 100, 120 และ 140 กิโลอิเล็กตรอนโวลต์ ปริมาณสารเจือ 2x1014 ไอออนต่อตารางเซนติเมตร ลงบนผลึกซิลิคอนเวเฟอร์ โดยมีชั้นซิลิคอนไดออกไซด์หนา 225 อังสตอม เป็นหน้ากากป้องกันผิวหน้า จากนั้นอบด้วยความร้อนสูงภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ที่อุณหภูมิ 900 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที วัดค่าความต้านทานเชิงผิว (Rs) ด้วยเครื่อง Four-point probe Omnimap RS-30 ผลการทดลองทำให้ทราบว่าการแตกตัวเป็นพลาสมาของ BF3 ประกอบไปด้วย AMU ไอออนโบรอนต่างๆ การเจือสารที่มี AMU มากทำให้ค่า Rs มากขึ้น ในขณะที่พลังงานมากขึ้นค่า Rs น้อยลง การทดลองนี้สามารถควบคุมค่า Rs ได้ในช่วง 316 ถึง 889 ohm/square ค่า Rs ดังกล่าวนำมาใช้ในการศึกษาคุณสมบัติทางไฟฟ้าในกระบวนการสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไป This paper shows the effect of different boron Atomic Mass Unit (10B+, 11B+, 29(BF)+, 30(BF)+, 48(BF2)+ and 49(BF2)+ ) by implantation using energy range from 45 to 140 keV with constant dose of 2x1014 ions/cm2. Sheet resistance of these layers was measured with Omnimap RS-30 Four-Point Probe. The experiments show that the sheet resistance in the range of 316 to 889 ohm/square can be controlled by choosing suitable condition. The result can be used to adjust the conductivity by the fabrication of semiconductor device.