ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Kyaw, Zabu
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
และรู้จักในชื่อของ
- Kyaw, Z. B.
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 Zhang, Zi-Hui 14
2 Ji, Yun 13
3 Tan, Swee Tiam 13
4 Demir, Hilmi Volkan 12
5 Ju, Zhengang 11
6 Hasanov, Namig 10
7 Sun, Xiaowei 6
8 Zhang, Xueliang 6
9 Sun, Xiao Wei 6
10 Zhang, Yiping 5
11 Zhu, Binbin 5
12 Wang, Liancheng 2
13 Volkan Demir, Hilmi 2
14 Zheng, Ke 2
15 Zhang, Xue Liang 2
16 Wei, Sun Xiao 1
17 Tiam Tan, Swee 1
18 Wei Sun, Xiao 1
19 Teng, Jing Hua 1
20 Namig, Hasanov 1
21 Ji, Y. 1
22 Zhang, Y. P. 1
23 Zhu, B. B. 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2558 1
2 2557 7
3 2556 6
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2558
1 A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
ปี พ.ศ. 2557
2 On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
3 On the origin of the electron blocking effect by an n-type AlGaN electron blocking layer
4 Improving hole injection efficiency by manipulating the hole transport mechanism through p-type electron blocking layer engineering
5 On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
6 Simultaneous enhancement of electron overflow reduction and hole injection promotion by tailoring the last quantum barrier in InGaN/GaN light-emitting diodes
7 Self-screening of the quantum confined Stark effect by the polarization induced bulk charges in the quantum barriers
8 Low thermal-mass LEDs : size effect and limits
ปี พ.ศ. 2556
9 Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
10 InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction
11 Improved hole distribution in InGaN/GaN light-emitting diodes with graded thickness quantum barriers
12 Enhanced hole transport in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with a p-type doped quantum barrier
13 PN-type quantum barrier for InGaN/GaN light emitting diodes
14 Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata