ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction
นักวิจัย : Zhang, Zi-Hui , Tan, Swee Tiam , Kyaw, Zabu , Ji, Yun , Liu, Wei , Ju, Zhengang , Hasanov, Namig , Sun, Xiaowei , Demir, Hilmi Volkan
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Zhang, Z.-H., Tan, S. T., Kyaw, Z., Ji, Y., Liu, W., Ju, Z., et al. (2013). InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction. Applied physics letters, 102(19). , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/10987 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4806978
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We report InGaN/GaN light-emitting diodes (LED) comprising in situ integrated p+-GaN/InGaN/n+-GaN polarization tunnel junctions. Improved current spreading and carrier tunneling probability were obtained in the proposed device architecture, leading to the enhanced optical output power and external quantum efficiency. Compared to the reference InGaN/GaN LEDs using the conventional p+/n+ tunnel junction, these devices having the polarization tunnel junction show a reduced forward bias, which is attributed to the polarization induced electric fields resulting from the in-plane biaxial compressive strain in the thin InGaN layer sandwiched between the p+-GaN and n+-GaN layers.

บรรณานุกรม :
Zhang, Zi-Hui , Tan, Swee Tiam , Kyaw, Zabu , Ji, Yun , Liu, Wei , Ju, Zhengang , Hasanov, Namig , Sun, Xiaowei , Demir, Hilmi Volkan . (2556). InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhang, Zi-Hui , Tan, Swee Tiam , Kyaw, Zabu , Ji, Yun , Liu, Wei , Ju, Zhengang , Hasanov, Namig , Sun, Xiaowei , Demir, Hilmi Volkan . 2556. "InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhang, Zi-Hui , Tan, Swee Tiam , Kyaw, Zabu , Ji, Yun , Liu, Wei , Ju, Zhengang , Hasanov, Namig , Sun, Xiaowei , Demir, Hilmi Volkan . "InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Zhang, Zi-Hui , Tan, Swee Tiam , Kyaw, Zabu , Ji, Yun , Liu, Wei , Ju, Zhengang , Hasanov, Namig , Sun, Xiaowei , Demir, Hilmi Volkan . InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.