Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
นักวิจัย	:	Dharmarasu, Nethaji , Agrawal, M. , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z.
คำค้น	:	DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Semiconductors
หน่วยงาน	:	Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2554
อ้างอิง	:	Dharmarasu, N., Agrawal, M., Radhakrishnan, K., & Sun, Z. Z. (2011). Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE. Paper presented at the 9th International Conference on Nitride Semiconductors. , http://hdl.handle.net/10220/7079 , 159550
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	Recently, AlGaN/GaN HEMTs grown on 100 mm diameter Si using plasma assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) have been demonstrated [1,2]. In these structures, the growth rate is limited by the active nitrogen species available from the nitrogen plasma. Consequently, longer growth times are required to achieve thicker buffer layer necessary for the device structures. However, the narrow growth widow for the GaN layer in PA-MBE technique is affected by the fluctuation in substrate temperature and material fluxes during the long growth period.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver Dharmarasu, Nethaji , Agrawal, M. , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. . (2554). Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Dharmarasu, Nethaji , Agrawal, M. , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. . 2554. "Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE". กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Dharmarasu, Nethaji , Agrawal, M. , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. . "Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE." กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2554. Print. Dharmarasu, Nethaji , Agrawal, M. , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. . Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2554.