| ชื่อเรื่อง | : | Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires |
| นักวิจัย | : | Zhang, X. W. , Fan, Weijun , Li, S. S. , Xia, Jian-Bai |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Semiconductors |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2550 |
| อ้างอิง | : | Zhang, X. W., Fan, W., Li, S. S., & Xia, J.-B. (2007). Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires. Applied physics letters, 90(19), 193111. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/18131 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2728749 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The electronic structures and electron g factors of InSb1−sNs and GaAs1−sNs nanowires and bulk material under the magnetic and electric fields are investigated by using the ten-band k· p model. The nitrogen doping has direct and indirect effects on the g factors. A giant g factor with absolute value larger than 900 is found in InSb1−sNs bulk material. A transverse electric field can increase the g factors, which has obviously asymmetric effects on the g factors in different directions. An electric field tunable zero g factor is found in GaAs1−sNs nanowires. |
| บรรณานุกรม | : |
Zhang, X. W. , Fan, Weijun , Li, S. S. , Xia, Jian-Bai . (2550). Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhang, X. W. , Fan, Weijun , Li, S. S. , Xia, Jian-Bai . 2550. "Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhang, X. W. , Fan, Weijun , Li, S. S. , Xia, Jian-Bai . "Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print. Zhang, X. W. , Fan, Weijun , Li, S. S. , Xia, Jian-Bai . Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
