ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

วิธีการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ MOS-Transistors

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : วิธีการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ MOS-Transistors
นักวิจัย : อนุชา เรืองพานิช , Anucha Ruangphanit
คำค้น : CMOS , ซีมอส parameter model , ทรานซิสเตอร์ , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , แบบจำลอง
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2546
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/16174
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

บทความนี้เสนอการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ NMOS และ PMOS ขนาดความกว้างของเกท 5 ไมครอน โพลีซิลคอนเกท 1ชั้น โลหะตัวนำ 2 ชั้น ที่ผ่านการสร้างเสร็จภายใต้ความร่วมมือ ของ NTT-AT, TMEC/NECTEC และ ERC/KMITLในการพัฒนากระบวนการสร้าง CMOS 5 ไมครอนโพลีซิลคอนเกท ดังกล่าว

The paper descrobe the parameter extraction model methodology of NMOS and PMOS with 5 um of poly gate under coporation between NTT-AT,TNEC/NECTEC, ERC/KMITL in the developement of 5 um CMOS poly gate

บรรณานุกรม :
อนุชา เรืองพานิช , Anucha Ruangphanit . (2546). วิธีการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ MOS-Transistors.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
อนุชา เรืองพานิช , Anucha Ruangphanit . 2546. "วิธีการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ MOS-Transistors".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
อนุชา เรืองพานิช , Anucha Ruangphanit . "วิธีการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ MOS-Transistors."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2546. Print.
อนุชา เรืองพานิช , Anucha Ruangphanit . วิธีการหาแบบจำลองพารามิเตอร์ของ MOS-Transistors. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2546.