ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Radhakrishnan, K.
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 Agrawal, M. 6
2 Dharmarasu, Nethaji 5
3 Ravikiran, L. 2
4 Ong, Vincent K. S. 2
5 Ravikiran, Lingaparthi 2
6 Dharmarasu, N. 1
7 Ng, G. I. 1
8 Yiding, Lin 1
9 Arulkumaran, S. 1
10 Kumar, Avishek 1
11 Munawar Basha, S. 1
12 Arulkumaran, Subramaniam 1
13 Ing, Ng Geok 1
14 Dalapati, Goutam Kumar 1
15 Tan, Hui Ru 1
16 Masudy-Panah, Saeid 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2558 1
2 2557 1
3 2556 1
4 2555 3
5 2554 2
6 2552 1
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2558
1 Growth and characterization of AlGaN/GaN/AlGaN double-heterojunction high-electron-mobility transistors on 100-mm Si(111) using ammonia-molecular beam epitaxy
ปี พ.ศ. 2557
2 Reduction of Cu-rich interfacial layer and improvement of bulk CuO property through two-step sputtering for p-CuO/n-Si heterojunction solar cell
ปี พ.ศ. 2556
3 Strain states of AlN/GaN-stress mitigating layer and their effect on GaN buffer layer grown by ammonia molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111)
ปี พ.ศ. 2555
4 Structural properties of GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (111) by ammonia molecular beam epitaxy
5 The study of the charge collection of the normal-collector configuration.
6 Demonstration of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 100-mm-diameter Si(111) by ammonia molecular beam epitaxy
ปี พ.ศ. 2554
7 Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE
8 Ga-bilayer controlled AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si by PA-MBE
ปี พ.ศ. 2552
9 Extraction of diffusion length using junction-less EBIC.