Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.
นักวิจัย	:	Tan, Shyue Seng.
คำค้น	:	DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electric apparatus and materials.
หน่วยงาน	:	Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2548
อ้างอิง	:	Tan, S. S. (2005). Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/3384
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	It has been the intent of this work to investigate negative bias temperature instability of pMOSFET with ultra-thin gate dielectrics both theoretically and experimentally. Through experimental study, a comprehensive and quantitative study on the influence of nitrogen at the Si/SiOxNy interface on NBTI has been presented and several features regarding the nitrogen-enhanced are unveiled. Based on the findings established from experimental works, an atomic model of NBTI is developed using first-principles calculations. In the model, the possible origin of NBTI in both SiO2 and nitrided oxides are discussed.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver Tan, Shyue Seng. . (2548). Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Tan, Shyue Seng. . 2548. "Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.". กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Tan, Shyue Seng. . "Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.." กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print. Tan, Shyue Seng. . Experimental and theoretical studies of negative bias temperature instability in ultra-thin gate dielectrics.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.

งานวิจัยเพิ่มเติม (เจ้าของผลงาน)

ไม่พบข้อมูลงานวิจัยเพิ่มเติม (เจ้าของผลงาน)

จำนวนผู้ดูรายละเอียด