| ชื่อเรื่อง | : | Dilute antimonide nitride for long wavelength infrared photodetection |
| นักวิจัย | : | Chen, X. Z. , Jin, Y. J. , Zhang, D. H. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2557 |
| อ้างอิง | : | Chen, X. Z., Jin, Y. J., & Zhang, D. H. (2014). Dilute antimonide nitride for long wavelength infrared photodetection. AIP Conference Proceedings of the 7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 1598, 166-170. , http://hdl.handle.net/10220/20349 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4878302 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | InSb1−xNx materials were fabricated by direct nitrogen implantation into InSb wafer and they are characterized by X-ray diffraction, Hall measurement, X-ray photoelectron spectroscopy. In-N bonds are clearly demonstrated and other forms of nitrogen, such as antisites (NIn), interstitial N2 , also exist in the grown films. The ratio to the total nitrogen bonds formed in the materials varies with preparation conditions. The optical bandgap data confirmed bandgap narrowing due to the incorporation of nitrogen. Photoconductive and photovoltaic photodetectors are fabricated and the cut-off frequencies of up to 11.5 μm are demonstrated. |
| บรรณานุกรม | : |
Chen, X. Z. , Jin, Y. J. , Zhang, D. H. . (2557). Dilute antimonide nitride for long wavelength infrared photodetection.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chen, X. Z. , Jin, Y. J. , Zhang, D. H. . 2557. "Dilute antimonide nitride for long wavelength infrared photodetection".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chen, X. Z. , Jin, Y. J. , Zhang, D. H. . "Dilute antimonide nitride for long wavelength infrared photodetection."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print. Chen, X. Z. , Jin, Y. J. , Zhang, D. H. . Dilute antimonide nitride for long wavelength infrared photodetection. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
