| ชื่อเรื่อง | : | Electrical properties of InSbN alloys fabricated by two-step ion implantation |
| นักวิจัย | : | Wang, Youyi , Zhang, Dao Hua , Jin, Y. J. , Chen, X. Z. , Li, J. H. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Wang, Y., Zhang, D. H., Jin, Y. J., Chen, X. Z., & Li, J. H. (2012). Electrical Properties of InSbN Alloys Fabricated by Two-Step Ion Implantation. Advanced Materials Research, 569, 305-310. , 1662-8985 , http://hdl.handle.net/10220/10709 , http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.569.305 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Advanced materials research |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | We report the electrical properties of the InSbN alloys fabricated by two-step implantation of nitrogen ions into InSb wafers, characterized by Hall measurements. The alloy with higher implanted dose shows lower electron concentration due to the acceptor nature of nitrogen. At temperatures below 150 K, the electron concentration does not change and follows an exponential relation at above 200 K. The Hall mobility in all samples monotonically decreases with the increase of temperature, indicating the phonon dominating scattering mechanism. The annealing results reveal that annealing temperatures up to 598 K make the carrier concentration lower due to the reduction of donor-type defects caused by ion implantation and the acceptor nature of nitrogen. |
| บรรณานุกรม | : |
Wang, Youyi , Zhang, Dao Hua , Jin, Y. J. , Chen, X. Z. , Li, J. H. . (2555). Electrical properties of InSbN alloys fabricated by two-step ion implantation.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Wang, Youyi , Zhang, Dao Hua , Jin, Y. J. , Chen, X. Z. , Li, J. H. . 2555. "Electrical properties of InSbN alloys fabricated by two-step ion implantation".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Wang, Youyi , Zhang, Dao Hua , Jin, Y. J. , Chen, X. Z. , Li, J. H. . "Electrical properties of InSbN alloys fabricated by two-step ion implantation."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Wang, Youyi , Zhang, Dao Hua , Jin, Y. J. , Chen, X. Z. , Li, J. H. . Electrical properties of InSbN alloys fabricated by two-step ion implantation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
