| ชื่อเรื่อง | : | Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation |
| นักวิจัย | : | Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Dai, J. Y. , See, A. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic apparatus and materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2544 |
| อ้างอิง | : | Lee, P. S., Mangelinck, D., Pey, K. L., Ding, J., Chi, D. Z., Dai, J. Y., et al. (2001). Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation. Journal of electronic materials, 30(12), 1554-1559. , 0361-5235 , http://hdl.handle.net/10220/10479 , http://dx.doi.org/10.1007/s11664-001-0173-1 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Journal of electronic materials |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The key feature of this study is to incorporate N2 + implant prior to Ni sputtering on the poly-Si gate and source/drain regions. The results show that the incorporation of the presilicide N2 + implant is able to suppress agglomeration in the Ni silicide films up to 900°C and enhance the phase stability of NiSi on Si(100) up to 750°C. Stable and low sheet resistance was achieved on the silicided undoped poly-Si up to 700°C due to reduced layer inversion, which is driven by grain boundary energy and the surface energy of the poly-Si. |
| บรรณานุกรม | : |
Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Dai, J. Y. , See, A. . (2544). Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Dai, J. Y. , See, A. . 2544. "Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Dai, J. Y. , See, A. . "Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2544. Print. Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Dai, J. Y. , See, A. . Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2544.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
