| ชื่อเรื่อง | : | Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing |
| นักวิจัย | : | Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic apparatus and materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2549 |
| อ้างอิง | : | Xu, C. D., Mei, T., Nie, D., & Dong J. R. (2006). Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing. Applied Physics Letters, 89, 1-3. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/6409 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2357563 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing of InAs/InP quantum dots grown on InP substrate is investigated. Intermixing is promoted by the near-surface defects generated by plasma exposure in annealing at a temperature of 600 degrees celcius for 30 s. The annealing results in a maximum differential band-gap blueshift of 106 nm but a thermal shift of only 10 nm. Band-gap halftones are obtained by controlling the amount of near-surface defects via wet chemical etching on the plasma-exposed InP cap layer. No degradation of quantum-dot crystal quality due to the process has been observed as evidenced by photoluminescence intensity. |
| บรรณานุกรม | : |
Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . (2549). Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . 2549. "Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . "Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print. Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
