| ชื่อเรื่อง | : | Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si |
| นักวิจัย | : | Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2545 |
| อ้างอิง | : | Lee, P. S., Pey, K. L., Mangelinck, D., Ding, J., Chi, D. Z, Osipowicz, T., et al. (2002). Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si. Journal of The Electrochemical Society, 149(9), G505-G509. , http://hdl.handle.net/10220/8104 , http://dx.doi.org/10.1149/1.1494828 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Journal of the electrochemical society |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The effect of ion implantation on the behavior and extent of layer inversion in Ni-silicided poly-Si was investigated. Two different implantation species, namely, BF2 + and N2+ , which affect the poly-Si grain growth were used. Retarded layer inversion was found with the ion-implanted poly-Si substrates. However, the formation of NiSi2 takes place at 700°C, which is slightly lower than that on Si(100). The easy nucleation of NiSi2 on poly-Si is implicitly related to the morphology perturbation. |
| บรรณานุกรม | : |
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . (2545). Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . 2545. "Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . "Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2545. Print. Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2545.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
