| ชื่อเรื่อง | : | Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs |
| นักวิจัย | : | Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2543 |
| อ้างอิง | : | Lee, P. S., Pey, K. L., Mangelinck, D., Ding, J., Wee, T. S., & Chan, L. (2000). Improved NiSi Salicide Process using Presilicide N2+ Implant for MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 21(12), 566-568. , http://hdl.handle.net/10220/8341 , http://dx.doi.org/10.1109/55.887467 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | IEEE electron device letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | An improved Ni salicide process has been developed by incorporating nitrogen (N+ 2 ) implant prior to Ni deposition to widen the salicide processing temperature window. Salicided poly-Si gate and active regions of different linewidths show improved thermal stability with low sheet resistance up to a salicidation temperature of 700 and 750 °C, respectively. Nitrogen was found to be confined within the NiSi layer and reduced agglomeration of the silicide. Phase transformation to the undesirable high resistivity NiSi2 phase was delayed, likely due to a change in the interfacial energy. The electrical results of N+2 implanted Ni-salicided PMOSFETs show higher drive current and lower junction leakage as compared to devices with no N+2 implant. |
| บรรณานุกรม | : |
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . (2543). Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . 2543. "Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . "Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2543. Print. Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2543.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
