| ชื่อเรื่อง | : | Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor |
| นักวิจัย | : | Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2549 |
| อ้างอิง | : | Ong, K. K., Pey, K. L., Lee, P. S., Wee, A. T. S., Wang, X. C., Tung, C. H., et al. (2006). Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor. Applied Physics Letters, 89(12). , http://hdl.handle.net/10220/8062 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2354446 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | In this letter, the authors study the importance of a low temperature anneal in the removal of crystalline defects resulting from pulsed laser annealing of preamorphized ultrashallow p+ln junction. Using an additional low thermal budget rapid thermal annealing at 600 °C for 60 s, suppression of junction leakage current of two orders in a single-pulse laser annealing and one order in a ten-pulse laser annealing is achieved through a reduction of the residual crystalline defects that could not be annihilated by laser annealing. p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors with good electrical characteristics can be obtained using pulsed laser annealing followed by a low thermal budget rapid thermal annealing. |
| บรรณานุกรม | : |
Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . (2549). Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . 2549. "Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . "Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print. Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
