ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน

หน่วยงาน สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน
นักวิจัย : ภัทรจิตร มั่นทรัพย์
คำค้น : ซิลิกอนเจอเมเนียม , จุลทรรศน์อิเล็กตรอน , ทรานซิสเตอร์ , แกลเลียมไนไตรท์ , ไอโอดเลเซอร์
หน่วยงาน : สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2547
อ้างอิง : http://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/213885
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์ . (2547). การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,.
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์ . 2547. "การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,.
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์ . "การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,, 2547. Print.
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์ . การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,; 2547.