| ชื่อเรื่อง | : | Pinned layer reversal effect on tunneling magnetoresistive heads caused by dynamic fly height heater voltage |
| นักวิจัย | : | สันชัย หาญสูงเนิน |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2552 |
| อ้างอิง | : | - |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Pinned layer reversal (PLR) causes instability upon magnetic recording heads. PLR effects on giant magnetoresistive heads are well understood unlike tunneling magnetoresistive heads. Dynamic fly height (DFH) heater is used as a controller of the flying height of the head. This work presents the PLR phenomenon caused by DFH heater voltage. Experimental results reveal the threshold voltage of DFH heater inducing PLR phenomenon is 3.35Vwhich is lower than that of the oxide breakdown. Effect of direction and read biasing voltage level was also investigated. © 2011 IEEE. |
| บรรณานุกรม | : |
สันชัย หาญสูงเนิน . (2552). Pinned layer reversal effect on tunneling magnetoresistive heads caused by dynamic fly height heater voltage.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สันชัย หาญสูงเนิน . 2552. "Pinned layer reversal effect on tunneling magnetoresistive heads caused by dynamic fly height heater voltage".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สันชัย หาญสูงเนิน . "Pinned layer reversal effect on tunneling magnetoresistive heads caused by dynamic fly height heater voltage."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2552. Print. สันชัย หาญสูงเนิน . Pinned layer reversal effect on tunneling magnetoresistive heads caused by dynamic fly height heater voltage. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2552.
|
