| ชื่อเรื่อง | : | การใช้เทคนิคโฟโตอิมิชันในการศึกษาผลของการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ ณ บริเวณรอยต่อระหว่าง GaN และโลหะที่เกิดจากกรรมวิธีการเตรียมผิวและการเกิดปฏิกิริยาเคมี |
| นักวิจัย | : | ชัญชณา ธนชยานนท์ , Chanchana Thanachayanont |
| คำค้น | : | Engineering and technology , Materials engineering , Photoemission , ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ , สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/16516 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
ชัญชณา ธนชยานนท์ , Chanchana Thanachayanont . (2551). การใช้เทคนิคโฟโตอิมิชันในการศึกษาผลของการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ ณ บริเวณรอยต่อระหว่าง GaN และโลหะที่เกิดจากกรรมวิธีการเตรียมผิวและการเกิดปฏิกิริยาเคมี.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. ชัญชณา ธนชยานนท์ , Chanchana Thanachayanont . 2551. "การใช้เทคนิคโฟโตอิมิชันในการศึกษาผลของการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ ณ บริเวณรอยต่อระหว่าง GaN และโลหะที่เกิดจากกรรมวิธีการเตรียมผิวและการเกิดปฏิกิริยาเคมี".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. ชัญชณา ธนชยานนท์ , Chanchana Thanachayanont . "การใช้เทคนิคโฟโตอิมิชันในการศึกษาผลของการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ ณ บริเวณรอยต่อระหว่าง GaN และโลหะที่เกิดจากกรรมวิธีการเตรียมผิวและการเกิดปฏิกิริยาเคมี."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print. ชัญชณา ธนชยานนท์ , Chanchana Thanachayanont . การใช้เทคนิคโฟโตอิมิชันในการศึกษาผลของการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ ณ บริเวณรอยต่อระหว่าง GaN และโลหะที่เกิดจากกรรมวิธีการเตรียมผิวและการเกิดปฏิกิริยาเคมี. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
