เมื่อเดือนพฤศจิกายน ปี พ. ศ. 2545 นักวิจัยที่ materials sciences division of Lawrence Berkley National Laboratory (ร่วมกับกลุ่มนักวิจัยผู้ปลูกผลึกที่มหาวิทยาลัย Cornell ที่สหรัฐอเมริกา และ มหาวิทยาลัย Ritsumeikan ที่ญี่ปุ่น) ได้ทำการทดลองร่วมกัน และพบว่าสารกึ่งตัวนำ อินเดียมไนไตรด์ (InN) ไม่ได้มีค่าช่องว่างแถบพลังงานเท่ากับ 2 อิเล็กตรอน-โวลต์ ตามที่เคยเข้าใจกันมา แต่มีค่าเพียง 0.7 อิเล็กตรอน-โวลต์เท่านั้น ซึ่งการค้นพบโดยบังเอิญนี้ทำให้นักวิทยาศาสตร์ทราบว่าเราจะสามารถผลิตเซลล์ แสงอาทิตย์โดยใช้วัสดุ แกเลียม อินเดียม และไนโตรเจน ได้ (เรียกรวมว่าเป็นวัสดุ แกเลียมอินเดียมไนโตรด์ (GaInN)) เซลล์แสงอาทิตย์นี้จะสามารถนำแสงอาทิตย์ที่ความยาวคลื่นมาเปลี่ยนเป็น พลังงานไฟฟ้าได้หมด นอกจากนี้เนื่องจาก GaInN จะต้องถูกปลูกบนวัสดุฐานรองต่างชนิด จึงยังมีปัญหาเรื่องคุณภาพของผลึกที่ปลูก แต่ถึงอย่างนั้นก็ได้มีการนำ GaInN ที่มีคุณภาพไม่ดีนักนี้ไปใช้เป็นวัสดุเปล่งแสงที่มีสมบัติดีได้ ในเมืองไทยขณะนี้ยังไม่มีนักวิจัยทำงานเกี่ยวกับการปลูกผลึก GaInN ดังนั้นโครงการฯ นี้จึงขอเสนอที่จะหาความเป็นไปได้ในการปลูกผลึก GaInN สำหรับทำเป็นเซลล์แสงอาทิตย์ พร้อมทั้งหาวิธีที่เหมาะสมที่สุด รวมทั้งต้นทุนการผลิต และหากเป็นไปได้ จะเสนอเป็นโครงการผลิตเซลล์อาทิตย์จาก GaInN ในปีถัดไป In November, 2002, researchers in the materials sciences division of Lawrence Berkley National Laboratory, working with crystal-growing teams at Cornell University and Japans’ Ritsumeikan Univeristy, discovered that the band gap of the semiconductor indium nitride was not 2 electron volts (eV) as previously thought, but instead was a much lower 0.7 eV. The serendipitous discovery means that a single system of alloys incorporating indium (In), gallium (Ga) and nitrogen (N) can convert virtually the full spectrum of sunlight to electrical current. However, compared to other materials used for solar cells, GaInN material system is not very easy to work with due to their low crystal quality being grown on foreign substrates. GaInN, however, has been studied extensively for light emitting applications and suitable growth technology has been available. In Thailand, there has not been any research work on growing GaInN materials. This feasibility study will explore the possibility of growing GaInN crystals in Thailand, the most appropriate methods of making solar cells from GaInN and approximate the investment needed. If feasible, the next project will be proposed next year to grow GaInN crystals for solar cell applications.