บทความฉบับนี้นำเสนอ การพัฒนากระบวนการสร้างซีมอส 5 ไมครอน โพลี ซิลิกอนเกท บ่อแยกชนิดพี ภายใต้โครงการ ความร่วมมือระหว่าง NTT-AT/TMEC-NECTEC/ERC-KMITL ในกระบวนการสร้างได้ทำการพัฒนา mask ชนิด chromium mask จำนวน 9 mask ซึ่งเขียนด้วยเครื่อง Laser Pattern Generator (DWL) โดยที่ต้นแบบของชิพสร้างขึ้นด้วยเทคโนโลยี 5 ไมครอน บ่อแยกชนิดพีพัฒนาด้วยการยิงฝังประจุ ชิพที่สำเร็จจากกระบวนการแล้วนำไปตรวจสอบคุณสมบัติทางไฟฟ้า เพื่อนำข้อมูลที่ได้ไปใช้เป็นแนวทางและข้อมูลเบื้องต้นในการพัฒนากระบวนการสร้างในลำดับต่อไป

This paper presents the process development of the 5 m poly silicon gate P-well CMOS technology under NTT-AT/TMEC-NECTEC/ERC-KMITL collaboration project . The mask making process has developed by using nine chromium mask and the direct write laser (DWL). In this fabrication, the chip layout were designed based on 5 m technology. The implantation technique was used in the P-well processing step. Finally, the chips from this fabrication process were measured and analyzed. The results will then be used in improving for the next fabrication process.