| ชื่อเรื่อง | : | VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS |
| นักวิจัย | : | Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ |
| คำค้น | : | A/D converters , CMOS , Filters , Instrumentation amplifiers , Integrated circuit design , Integrated circuits , Sensor interface , Signal-conditioning , วงจรกรองสัญญาณ , วงจรขยายสัญญาณ , วงจรประมวลสัญญาณเซนเซอร์ , วงจรรวม , วงจรแปลงสัญญาณอนาลอกเป็นดิจิทัล , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , เทคโนโลยีซีมอส |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/15064 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This paper describes a VLSI implementation of an analog interface circuit for electronic sensor devices such as pressure sensors, thermal sensors, etc. The circuit measures a differential input voltage which varies according to the property change in sensor’s characteristics. The relatively-weak sensor signal is initially amplified by an instrumentation amplifier followed by a 2nd-order low-pass filter for out-of-band noise reduction as well as performing an anti-aliasing function. Finally, the resulting analog signal is converted to a digital representation by a 10-bit successive-approximation-register A/D converter. The entire circuit has been designed and fabricated in a 0.8-um AMS CMOS process. The circuit occupies a die area of 0.7mm x 1.5mm. บทความนี้นำเสนอการออกแบบและผลการทดสอบของวงจรประมวลสัญญาณอนาลอก สำหรับอุปกรณ์หัวตรวจวัดอิเล็กทรอนิกส์ เช่น หัวตรวจวัดความดัน และอุณหภูมิของสภาพแวดล้อม เป็นต้น หน้าที่ของวงจรเริ่มจากการตรวจจับสัญญาณผลต่างที่มาจากหัวตรวจวัด ซึ่งค่าสัญญาณนี้จะแปรผันตามคุณสมบัติของหัวตรวจวัด ที่เปลี่ยนแปลงได้ตามการเปลี่ยนแปลงของสภาพแวดล้อมที่กำลังทำการวัด หลังจากนั้นสัญญาณจะถูกขยายสัญญาณผลต่่างและวงจรกรองสัญญาณความถี่ต่ำ เพื่อลดทอนสัญญาณรบกวนและสัญญาณเสมือน ก่อนเ้ข้าสู่กระบวนการแปลงสัญญาณอนาลอกเป็นดิจิทัลแบบ 10 บิต วงจรทั้งหมดได้ถูกออกแบบสำหรับเทคโนโลยีกระบวนการผลิตแบบซีมอส 0.8 ไมครอน และใช้เนื้อที่้บนแผ่นซิลิกอนเพียง 0.7 มม. คูณ 1.5 มม. |
| บรรณานุกรม | : |
Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . (2551). VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS.
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . 2551. "VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS".
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ. Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . "VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS."
ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print. Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.
|
