ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS
นักวิจัย : Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์
คำค้น : A/D converters , CMOS , Filters , Instrumentation amplifiers , Integrated circuit design , Integrated circuits , Sensor interface , Signal-conditioning , วงจรกรองสัญญาณ , วงจรขยายสัญญาณ , วงจรประมวลสัญญาณเซนเซอร์ , วงจรรวม , วงจรแปลงสัญญาณอนาลอกเป็นดิจิทัล , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , เทคโนโลยีซีมอส
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/15064
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper describes a VLSI implementation of an analog interface circuit for electronic sensor devices such as pressure sensors, thermal sensors, etc. The circuit measures a differential input voltage which varies according to the property change in sensor’s characteristics. The relatively-weak sensor signal is initially amplified by an instrumentation amplifier followed by a 2nd-order low-pass filter for out-of-band noise reduction as well as performing an anti-aliasing function. Finally, the resulting analog signal is converted to a digital representation by a 10-bit successive-approximation-register A/D converter. The entire circuit has been designed and fabricated in a 0.8-um AMS CMOS process. The circuit occupies a die area of 0.7mm x 1.5mm.

บทความนี้นำเสนอการออกแบบและผลการทดสอบของวงจรประมวลสัญญาณอนาลอก สำหรับอุปกรณ์หัวตรวจวัดอิเล็กทรอนิกส์ เช่น หัวตรวจวัดความดัน และอุณหภูมิของสภาพแวดล้อม เป็นต้น หน้าที่ของวงจรเริ่มจากการตรวจจับสัญญาณผลต่างที่มาจากหัวตรวจวัด ซึ่งค่าสัญญาณนี้จะแปรผันตามคุณสมบัติของหัวตรวจวัด ที่เปลี่ยนแปลงได้ตามการเปลี่ยนแปลงของสภาพแวดล้อมที่กำลังทำการวัด หลังจากนั้นสัญญาณจะถูกขยายสัญญาณผลต่่างและวงจรกรองสัญญาณความถี่ต่ำ เพื่อลดทอนสัญญาณรบกวนและสัญญาณเสมือน ก่อนเ้ข้าสู่กระบวนการแปลงสัญญาณอนาลอกเป็นดิจิทัลแบบ 10 บิต วงจรทั้งหมดได้ถูกออกแบบสำหรับเทคโนโลยีกระบวนการผลิตแบบซีมอส 0.8 ไมครอน และใช้เนื้อที่้บนแผ่นซิลิกอนเพียง 0.7 มม. คูณ 1.5 มม.

บรรณานุกรม :
Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . (2551). VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . 2551. "VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . "VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print.
Theerachet Soorapanth , ธีรเชษฐ์ สูรพันธุ์ . VLSI Implementation of Sensor Interface Circuits in CMOS. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.