โครงการนี้เกี่ยวข้องกับการศึกษาและพัฒนาวงจรรวมอนาลอกที่ทำงานได้ที่ความถี่สูง ใกล้เคียงกับขีดจำกัดของเทคโนโลยีซีมอส และเหมาะสมในการนำไปสร้างวงจรภาครับ-ส่ง สัญญาณวิทยุ สำหรับระบบการสื่อสารไร้สาย วัตถุประสงค์หลักของโครงการนี้คือการออกแบบ และพัฒนาวงจรรวมเลียนแบบขดลวดเหนี่ยวนำที่ทำงานได้ที่ความถี่สูงโดยใช้เทคโนโลยีซีมอส และนำวงจรรวมเลียนแบบขดลวดเหนี่ยวนำที่พัฒนาขึ้นมาใช้ในวงจรกรองความถี่แถบผ่าน สำหรับระบบการสื่อสารไร้สาย จุดเด่นของวงจรรวมเลียนแบบขดลวดเหนี่ยวนำ เมื่อเทียบกับ ขดลวดเหนี่ยวนำที่สร้างบนเทคโนโลยีวงจรรวม คือ มีความสามารถในการปรับเปลี่ยนมากขึ้น พื้นที่ชิพและต้นทุนที่ลดลง โครงการนี้ได้ดำเนินการจนบรรลุวัตถุประสงค์ กล่าวคือ มีการพัฒนาโครงสร้างใหม่ของ วงจรเลียนแบบขดลวดเหนี่ยวนำสำหรับการทำงานที่ความถี่สูงและภายใต้แรงดันไฟเลี้ยงต่ำ โดยสามารถปรับค่าอินดักแตนซ์ได้ถึงหลายร้อยนาโนเฮนรี และปรับค่าคุณภาพได้อย่างอิสระถึง มากกว่าหนึ่งร้อย ซึ่งมากกว่าค่าที่ได้จากขดลวดเหนี่ยวนำหลายเท่า โครงการนี้ยังนำวงจร เลียนแบบขดลวดเหนี่ยวนำที่ได้พัฒนาขึ้นโดยนำไปสร้างเป็นวงจรกรองความถี่แถบผ่าน ซึ่งมี ขีดความสามารถเท่าเทียมกับวงจรที่ใช้ขดลวดเหนี่ยวนำ โดยใช้พื้นที่ชิพน้อยและมีความ สามารถในการปรับค่าต่างๆได้ดี โดยสรุป ผลงานวิจัยที่ได้รับแสดงให้เห็นว่าสามารถนำวงจร เลียนแบบขดลวดเหนี่ยวนำมาประยุกต์ใช้งานในช่วงความถี่คลื่นวิทยุได้ดี his project is concerned with the investigation and development of analogue integrated circuits which operate at the technology limits of silicon CMOS, and thus are suitable for implementation of RF front-end circuits, particularly for use in wireless applications. The main objectives of this project are to develop high frequency active inductor topologies for implementation in silicon CMOS technology, and to develop these CMOS active inductor topologies into front-end bandpass filter circuits in the low microwave frequency range. The motivation for implementing active inductors is the increased tuneability, plus reduced chip area and processing cost, when compared to implementing an on-chip passive inductor. The objectives of this project have been met through the development of novel low-voltage tuneable CMOS active inductor architectures tailored for high frequency applications. These inductors exhibit tuneable inductance varying from several nH up to several hundred nH, with independently tuneable quality factor (Q) values up to more than 100. These values far exceed those currently achievable using passive integrated inductors in standard silicon CMOS technology. This project has also demonstrated the use of these active inductor structures in various front-end circuits, including tuneable bandpass filters and bandpass amplifiers. Again the performance of these circuits compares well with previously reported implementations using passive inductors, with the added benefit of tuneability and reduced silicon area. This research confirms the feasibility of using CMOS integrated active inductors for RF applications, and the circuits developed further extends the library of architectures available to designers of front-end RF CMOS circuits and systems.