| ชื่อเรื่อง | : | การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง |
| นักวิจัย | : | เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา |
| คำค้น | : | โกลว์ดิสชาร์จ , สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) , ฟิล์มบาง , ความเครียดและความเค้น |
| หน่วยงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| ผู้ร่วมงาน | : | สมพงศ์ ฉัตราภรณ์ , สมชาย เกียรติกมลชัย , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิทยาศาสตร์ |
| ปีพิมพ์ | : | 2545 |
| อ้างอิง | : | 9741798539 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/10569 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545 ฟิล์มบางโมลิบดินัมบนกระจกโซดาไลม์ที่เตรียมโดยวิธีดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงเป็นฟิล์มที่ทำหน้าที่เป็นขั้วไฟฟ้าด้านหลังให้กับเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางของสารประกอบคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์ สมบัติที่เหมาะสมของฟิล์มบางโมลิบดินัมที่ใช้ประดิษฐ์เซลล์แสงอาทิตย์คือฟิล์มที่มีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำ ความเค้นตกค้างภายในต่ำและสภาพการยึดติดสูงโดยเฉพาะอย่างยิ่งมีความทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ สมบัติของฟิล์มดังกล่าวสามารถควบคุมได้จากความดันแก๊สอาร์กอนที่ใช้ในการสปัตเตอร์ จากการทดลองเตรียมฟิล์มชนิดชั้นเดียวหนา 2,500 Å เมื่อสปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอนต่ำฟิล์มมีค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำ มีความเค้นตกค้างสูงทำให้สภาพการยึดติดของฟิล์มกับกระจกไม่ดี แต่เมื่อสปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอรสูง ฟิล์มมีค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าสูง มีความเค้นตกค้างต่ำทำให้สภาพการยึดติดของฟิล์มกับกระจกสูง โดยสปัตเตอร์ที่ความดันแก๊สอาร์กอนเท่ากับ 4x10[superscript -3] mbar เราพบว่าฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดเท่ากับ 2.12x10[superscript -5] omega cm ฟิล์มมีความเค้นตกค้างสูงซึ่งทำให้ฟิล์มมีสภาพการยึดติดต่ำที่สุดเท่ากับ 1765 kPa ทดสอบโดยวิธี pull-off สำหรับฟิล์มที่สปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอน 8x10[superscript -3] mbar มีสภาพต้านทานไฟฟ้าสูงสุดเท่ากับ 11.06x10[superscript -5] omega cm แต่ฟิล์มมีความเค้นตกค้างต่ำสุดซึ่งทำให้ฟิล์มมีสภาพการยึดติดมากกว่า 3447 kPa และไม่สามารถดึงฟิล์มให้หลุดจากกระจกได้ สำหรับฟิล์มชนิดสองชั้นเป็นการสปัตเตอร์ด้วยความดันแก๊สอาร์กอน 8x10[superscript -3] mbar เป็นชั้นแรกและสปัตเตอร์ต่อด้วยความดันแก๊สอาร์กอน 4x10[superscript -3] mbar จนฟิล์มหนา 2,500 Å จากการทดลองเมื่อความหนาของฟิล์มชั้นแรกเพิ่มขึ้นฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าสูงขึ้นแต่ความเค้นตกค้างภายในลดลงทำให้ฟิล์มมีสภาพการยึดติดสูง โดยที่ฟิล์มชั้นแรก สปัตเตอร์นาน 20 วินาที ฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดเท่ากับ 4.48x10[superscript -5] omega cm ความเค้นตกค้างภายในต่ำและมีสภาพการยึดติดสูงเท่ากับ 2971 kPa จากสภาวะดังกล่าวฟิล์มที่เหมาะสมสำหรับใช้งานเป็นฟิล์มชั้นเดียวที่เตรียมที่ความดันแก๊สอาร์กอน 5x10[superscript -3] mbar ฟิล์มมีสภาพต้านทานไฟฟ้าเท่ากับ 2.53x10[superscript -5] omega cm มีความเค้นตกค้างต่ำซึ่งทำให้สภาพการยึดติดสูงเท่ากับ 2337 kPa |
| บรรณานุกรม | : |
เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . (2545). การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . 2545. "การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . "การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545. Print. เฉลิมวัฒน์ วงศ์วาณิชวัฒนา . การเตรียมฟิล์มบางโมลิบดีนัมที่มีความเค้นตกค้างต่ำโดยดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2545.
|
