ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP บนแผ่นผลึกฐาน (100) GaAs และ (411)A GaAs ด้วย วิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ การตรวจสอบการเรียงตัวของผลึก InP ขณะที่ปลูกด้วยเทคนิก RHEED ซึ่ง คุณภาพผิวผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึก และค่าอัตราส่วน V/III ที่มีผลต่อคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่ไม่มี การเจือมีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความหนาแน่นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 4?1016-9.5?1018 cm-3 และค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 237-1,761 cm2V--1s-1 จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่ปลูกได้ขึ้นกับเงื่อนไขต่างๆ ที่ใช้ในการปลูกผลึก สำหรับการเจือ Si ในผลึกอิพิแทกซี InP ค่าความเข้มข้น พาหะขึ้นกับค่าอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si ซึ่งอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si ในช่วง 860-940?C ได้ค่าความเข้มข้นพาหะ มีค่าอยู่ในช่วง 1?1017-2.5?1018 cm-3 และค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 1,020-1,989 cm2V--1s-1 โดย ค่าความเข้มข้นพาหะที่ได้มีค่าเพิ่มขึ้นเมื่อค่าอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si มีค่าเพิ่มขึ้น แต่ค่าความคล่องตัวพาหะที่ ได้มีค่าลดลงเมื่อค่าความเข้มข้นพาหะมีค่าเพิ่มขึ้น The growth of InP layers on (100) GaAs and (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using polycrystalline gallium phosphide (GaP) as a phosphorus source was investigated. The surface reconstruction during the growth was monitored by reflection high energy electron diffraction (RHEED), the high quality InP layers on GaAs substrates with specular surface morphology could be obtained. The effects of growth temperatures and V/III ratios on the properties of InP epi-layers were studied. The undoped layers showed n-type conduction behavior with a background carrier concentration of 4X1016-9.5X1018 cm-3 and mobility of 237-1,761 cm2/V-s, both at room temperature, as measured by van der Pauw method. Our results showed a strong dependence of growth quality on growth conditions such as growth temperatures and P2/In flux ratios. The Si-doped InP epilayers and (100) GaAs and (411)A GaAs substrates also showed n-type conduction. The carrier concentration depends on the Si-cell temperature. The temperature of Si-cell in the range of 860-940?C give the concentration in the range of 1X1017-2.5X1018 cm-3 and mobility of 1,020-1,989 cm2/V-s. The mobility was degreased while the increasing of the carrier concentration.