ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง

หน่วยงาน สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง
นักวิจัย : สมชัย รัตนธรรมพันธ์
คำค้น : อินเดียมฟอสไฟด์ , ซิลิกอน , แกลเลียมอาร์เซไนด์ , การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
หน่วยงาน : สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2548
อ้างอิง : http://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/156417
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . (2548). การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . 2548. "การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . "การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2548. Print.
สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2548.