| ชื่อเรื่อง | : | Monolithic integration of GAAS-to-SI by direct wafer bonding |
| นักวิจัย | : | Yeo, Chiew Yong |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2556 |
| อ้างอิง | : | Yeo, C .Y. (2013). Monolithic integration of GAAS-to-SI by direct wafer bonding. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/61132 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | While Silicon remains the dominant material today in matured very-large-scale-integration technology, most of the III-V compound semiconductors are direct bandgap materials with high electron mobilities that are highly sought in advanced space, automobile, and telecommunication applications. Hence, it would be ideal to integrate the best of Silicon and III-V compound semiconductors. |
| บรรณานุกรม | : |
Yeo, Chiew Yong . (2556). Monolithic integration of GAAS-to-SI by direct wafer bonding.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yeo, Chiew Yong . 2556. "Monolithic integration of GAAS-to-SI by direct wafer bonding".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yeo, Chiew Yong . "Monolithic integration of GAAS-to-SI by direct wafer bonding."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print. Yeo, Chiew Yong . Monolithic integration of GAAS-to-SI by direct wafer bonding. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
