| ชื่อเรื่อง | : | Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation |
| นักวิจัย | : | Yeo, Chiew Yong , Xu, D. W. , Yoon, Soon Fatt , Fitzgerald, Eugene A. |
| คำค้น | : | DRNTU::Science::Physics. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2556 |
| อ้างอิง | : | Yeo, C. Y., Xu, D. W., Yoon, S. F., & Fitzgerald, E. A. (2013). Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation. Applied physics letters, 102(5), 054107-. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/18646 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4791584 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The present work seeks to demonstrate the elegance and simplicity of monolithic integration via plasma-activated direct wafer bonding. Two-inch gallium arsenide and silicon wafers were directly bonded through argon plasma activation. The highest specific bond energy was found for plasma conditions of 30 s, 120 mTorr, and 200 W, followed by low temperature annealing at 140 °C, and was 478 mJ/m2. Through this process, a processed silicon integrated circuit could be integrated with optoelectronics gallium arsenide on a wafer scale. |
| บรรณานุกรม | : |
Yeo, Chiew Yong , Xu, D. W. , Yoon, Soon Fatt , Fitzgerald, Eugene A. . (2556). Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yeo, Chiew Yong , Xu, D. W. , Yoon, Soon Fatt , Fitzgerald, Eugene A. . 2556. "Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yeo, Chiew Yong , Xu, D. W. , Yoon, Soon Fatt , Fitzgerald, Eugene A. . "Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print. Yeo, Chiew Yong , Xu, D. W. , Yoon, Soon Fatt , Fitzgerald, Eugene A. . Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
