| ชื่อเรื่อง | : | Design of low-voltage low-power nano-scale SRAMs. |
| นักวิจัย | : | Do, Anh Tuan. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Integrated circuits. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2553 |
| อ้างอิง | : | Do, A. T. (2010). Design of low-voltage low-power nano-scale SRAMs. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/46228 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Static Random Access Memory (SRAM)- based cache is one of the most important components of state-of-the-art VLSI systems. It is responsible for increasing the speed of data flows, and hence the speed of the whole electronics system. SRAM is prevalently utilised in the design of modern microprocessors for bridging the widening divergence between the performances of the Central Processing Unit (CPU) and the Dynamic RAM (DRAM)-based memory. |
| บรรณานุกรม | : |
Do, Anh Tuan. . (2553). Design of low-voltage low-power nano-scale SRAMs..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Do, Anh Tuan. . 2553. "Design of low-voltage low-power nano-scale SRAMs.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Do, Anh Tuan. . "Design of low-voltage low-power nano-scale SRAMs.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2553. Print. Do, Anh Tuan. . Design of low-voltage low-power nano-scale SRAMs.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2553.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
