| ชื่อเรื่อง | : | Characterization of conduction band edge discontinuity for InAlAs/GaAsSb using InP/GaAsSb heterojunction bipolar transistors. |
| นักวิจัย | : | Ng, C. W. , Wang, H. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Ng, C. W., & Wang, H. (2012). Characterization of conduction band edge discontinuity for InAlAs/GaAsSb using InP/GaAsSb heterojunction bipolar transistors. physica status solidi (a), 209(8), 1579-1582. , 1862-6300 , http://hdl.handle.net/10220/17071 , http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201127699 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | physica status solidi (a) |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | In this work, the temperature-dependent DC performance of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) with an InP/InAlAs composite emitter was characterized. The current transport mechanisms in DHBTs with a type-I InAlAs/GaAsSb emitter–base junction interface and a type-II GaAsSb/InP base–collector were studied. The experimental results reveal that electron injection at emitter–base junction could be affected by conduction barrier limited carrier transport. A conduction band edge discontinuity of 9.5 meV for InAlAs/GaAsSb heterojunction was experimentally estimated. |
| บรรณานุกรม | : |
Ng, C. W. , Wang, H. . (2555). Characterization of conduction band edge discontinuity for InAlAs/GaAsSb using InP/GaAsSb heterojunction bipolar transistors..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Ng, C. W. , Wang, H. . 2555. "Characterization of conduction band edge discontinuity for InAlAs/GaAsSb using InP/GaAsSb heterojunction bipolar transistors.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. |
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
