| ชื่อเรื่อง | : | A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement |
| นักวิจัย | : | Li, Qi , Wang, Bo , Kim, Tony Tae-Hyoung |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Li, Q., Wang, B., & Kim, T. T. (2012). A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement. ESSDERC 2012 - 42nd European Solid State Device Research Conference, pp.201-204. , http://hdl.handle.net/10220/16227 , http://dx.doi.org/10.1109/ESSDERC.2012.6343368 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM is implemented in 65nm CMOS technology. A single-ended equalized bitline scheme is proposed to improve both read bitline voltage swing and sensing timing window. A fast local write-back allows the half-select-free write operation without performance degradation. The test chip shows a minimum operating voltage of 0.24V and a minimum energy of 5.61pJ at 0.3V. |
| บรรณานุกรม | : |
Li, Qi , Wang, Bo , Kim, Tony Tae-Hyoung . (2555). A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Li, Qi , Wang, Bo , Kim, Tony Tae-Hyoung . 2555. "A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Li, Qi , Wang, Bo , Kim, Tony Tae-Hyoung . "A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Li, Qi , Wang, Bo , Kim, Tony Tae-Hyoung . A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
