Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.
นักวิจัย	:	Boo, A. A. , Ang, Diing Shenp
คำค้น	:	DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน	:	Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2555
อ้างอิง	:	0018-9383 , http://hdl.handle.net/10220/13459 , http://dx.doi.org/10.1109/TED.2012.2214441
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	IEEE transactions on electron devices
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	We present experimental evidence of a thermally activated transformation of negative-bias-temperature-stress-induced transient hole trapping at preexisting oxide traps into more permanent trapped holes in the ultrathin oxynitride gate p-MOSFET. The transformation is also shown to correlate with the generation of stress-induced leakage current, indicating that it is one of the key mechanisms of bulk trap generation. A similar observation (reported elsewhere) applies to the HfO2 gate p-MOSFET, implying that the observed hole-trap transformation is a common mechanism for bulk trap generation across different gate oxide technologies. The results further imply that preexisting oxide defects, usually deemed irrelevant to negative-bias temperature instability, have a definite role on long-term device parametric drifts.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver Boo, A. A. , Ang, Diing Shenp . (2555). Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Boo, A. A. , Ang, Diing Shenp . 2555. "Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.". กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Boo, A. A. , Ang, Diing Shenp . "Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.." กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Boo, A. A. , Ang, Diing Shenp . Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.