| ชื่อเรื่อง | : | Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack |
| นักวิจัย | : | Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2545 |
| อ้างอิง | : | Lee, P. S., Mangelinck, D., Pey, K. L., Ding, J., Chi, D. Z., Osipowicz, T., et al. (2002). Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack. Microelectronic engineering, 60(1-2), 171-181. , 0167-9317 , http://hdl.handle.net/10220/10542 , http://dx.doi.org/10.1016/S0167-9317(01)00592-5 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Microelectronic engineering |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The formation and stability of Ni(Pt)Si on metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFETs) polycrystalline-Si (poly-Si) gate stack was investigated. Poly-Si and partial amorphous Si (a-Si) structures were grown using LPCVD and RTCVD techniques. For pure Ni silicidation, nucleation of NiSi2 was found at 700°C, which is slightly lower than that on monocrystalline Si (about 750°C). With Pt addition, Ni(Pt)Si was found up to 800°C, implying the important role of Gibbs free energy changes in enhancing the monosilicide stability. The extent of layer inversion of Ni(Pt)Si on RTCVD-Si is less than that on LPCVD-Si and thus results in a slower sheet resistance degradation. |
| บรรณานุกรม | : |
Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . (2545). Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . 2545. "Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . "Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2545. Print. Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2545.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
