| ชื่อเรื่อง | : | Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode |
| นักวิจัย | : | Dong, Bin |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2550 |
| อ้างอิง | : | Dong, B. (2007, March). Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode. Presented at Discover URECA @ NTU poster exhibition and competition, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10220/9102 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A laser diode is a laser where the active medium is a semiconductor similar to that found in a light-emitted diode. [4th Awards] |
| บรรณานุกรม | : |
Dong, Bin . (2550). Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Dong, Bin . 2550. "Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Dong, Bin . "Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print. Dong, Bin . Design 1.3 um GaAsSbN/GaAs quantum well laser diode. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
