| ชื่อเรื่อง | : | Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors |
| นักวิจัย | : | Yuan, Guoliang , Wang, Junling |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Magnetic materials. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2552 |
| อ้างอิง | : | Yuan, G. L., & Wang, J. (2009). Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors. Applied Physics Letters, 95. , http://hdl.handle.net/10220/6860 , http://dx.doi.org/10.1063/1.3268783 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Ferroelectric materials possess spontaneous polarization pointing from negative to positive bound surface charges. When a ferroelectric semiconductor is polarized, the induced electric field can drive free carriers, e.g., electrons in an n-type material, to neutralize surface charges until such field becomes zero. Such diffusion of free carriers induces a depletion region. Polarization switch can move the depletion region to the opposite surface, thus it can be used to manipulate any properties that are affected by such depletion region, such as unidirectional current and photovoltaic current. |
| บรรณานุกรม | : |
Yuan, Guoliang , Wang, Junling . (2552). Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, Guoliang , Wang, Junling . 2552. "Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, Guoliang , Wang, Junling . "Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2552. Print. Yuan, Guoliang , Wang, Junling . Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2552.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
