| ชื่อเรื่อง | : | Electrical characterization of dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers |
| นักวิจัย | : | Goh, Wang Ling , Montgomery, J. H. , Raza, S. H. , Gamble, H. S. , Armstrong, B. M. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2540 |
| อ้างอิง | : | Goh, W. L., Montgomery, J. H., Raza, S. H., Gamble, H. S., & Armstrong, B. M. (1997). Electrical characterization of dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers. IEEE Electron Device Letters, 18(5), 232-234. , 0741-3106 , http://hdl.handle.net/10220/6017 , http://dx.doi.org/10.1109/55.568777 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | IEEE electron device letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Dielectrically isolated substrates containing buried highly conducting WSi2 layers are characterized for the first time using MOS capacitors. The active silicon layer is approximately 3 µm thick with a buried WSi2 layer 120 mm thick adjacent to the isolation layer. The buried metal forms the back contact of the capacitor and excellent MOS characteristics are observed. Minority carrier lifetimes in excess of 200 µs were measured indicating the suitability of these substrates for use in device manufacture. |
| บรรณานุกรม | : |
Goh, Wang Ling , Montgomery, J. H. , Raza, S. H. , Gamble, H. S. , Armstrong, B. M. . (2540). Electrical characterization of dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Goh, Wang Ling , Montgomery, J. H. , Raza, S. H. , Gamble, H. S. , Armstrong, B. M. . 2540. "Electrical characterization of dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Goh, Wang Ling , Montgomery, J. H. , Raza, S. H. , Gamble, H. S. , Armstrong, B. M. . "Electrical characterization of dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2540. Print. Goh, Wang Ling , Montgomery, J. H. , Raza, S. H. , Gamble, H. S. , Armstrong, B. M. . Electrical characterization of dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2540.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
