วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ กล่าวถึงการวิจัย และการสร้างวงจรรวมดิจิตอล พื้นฐานแบบซีมอส อันได้แก่ วงจรเกทและวงจรสองสถานะ โดยการศึกษา และทดลองเพื่อหากระบวนการสร้างที่เหมาะสม เทคโนโลยที่ใช้เป็นการ แพร่สารเจือด้วยความร้อน และเป็นโครงสร้างแบบอลูมิเนียมเกท จากนั้น จึงทำการสร้างมอสทรานซิสเตอร์ทั้งชนิดเอ็นและ พีแชลแนล แล้ววัดคุณสมบัติ ทางไฟฟ้าพื้นฐานของทรานซิสเตอร์ที่สร้างขึ้น เช่นความสัมพันธ์ระหว่าง กระแสและแรงดัน ค่าแรงดันขีดเริ่มและ พารามิเตอร์ที่สำคัญอื่น ๆ ทรานซิสเตอร์ที่ได้นี้ถูกนำไปออกแบบเพื่อการสร้างเป็นวงจรรวมแบบ ซีมอส ของวงจรเกทพื้นฐาน เช่น อินเวอร์เตอร์ แนนด์เกท นอร์เกท ทราน มิสชั่นเกท และวงจรสองสถานะ ผลจากการทดสอบคุณสมบัติของวงจรที่ได้ถูก นำไปเปรียบเทียบกับผลการจำลองแบบ ซึ่งปรากฎว่าคุณสมบัติทางไฟตรงมีค่า แตกต่างประมาณ 10% และคุณสมบัติการสวิชชิ่งซึ่งมีค่าความคลาดเคลื่อน ประมาณ 5-10 เท่า นอกจากนี้ยังได้ศึกษาและทดลองสร้างวงจรป้องกันอินพุท ซึ่งเป็นส่วน ช่วยป้องกันความเสียหายที่จะเกิดขึ้นกับส่วนเกท โดยใช้รอยต่อพี-เอ็นที่มีอยู่ในโครงสร้างซีมอสเดิม ทำให้ไม่ต้องเพิ่มขึ้นตอนของกระบวนการสร้าง การทดลองให้ผลเป็นที่น่า พอใจ โดยจำกัดแรงดันอินพุทประมาณ 12-14 โวลต์